SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
薄层SOS薄膜材料外延生长及其器件应用(英文)
王启元; 聂纪平; 刘忠立; 郁元桓
2000
Source Publication半导体学报
Volume21Issue:6Pages:521
Abstract亚微米CMOS/SOS器件发展对高质量的100--200纳米厚度的薄层SOS薄膜提出了更高的要求。实验证实:采用CVD方法生长的原生SOS薄膜的晶体质量可以通过固相外延工艺得到明显改进。该工艺包括:硅离子自注入和热退火。X射线双晶衍射和器件电学测量表明:多晶化的SOS薄膜固相外延生长导致硅外延层晶体质量改进和载流子迁移率提高。固相外延改进的薄层SOS薄膜材料能够应用于先进的CMOS电路。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:532739
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18791
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王启元,聂纪平,刘忠立,等. 薄层SOS薄膜材料外延生长及其器件应用(英文)[J]. 半导体学报,2000,21(6):521.
APA 王启元,聂纪平,刘忠立,&郁元桓.(2000).薄层SOS薄膜材料外延生长及其器件应用(英文).半导体学报,21(6),521.
MLA 王启元,et al."薄层SOS薄膜材料外延生长及其器件应用(英文)".半导体学报 21.6(2000):521.
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