SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
高质量立方相InGaN的生长
李顺峰; 杨辉; 徐大鹏; 赵德刚; 孙小玲; 王玉田; 张书明
2000
Source Publication半导体学报
Volume21Issue:6Pages:548
Abstract利用LP-MOCVD技术在GaAs(001)衬底上生长了高质量的立方相InGaN外延层。研究了生长速率对InGaN质量的影响,提出一个简单模型解释了在改变TEGa流量条件下出现的In组分的变化规律,实验结果与模型的一次项拟合结果较为吻合,由此推断,在现在的生长条件下,表面单个Ga原子作为临界晶核吸附Ga或In原子实现生长的模型与实际情况较为接近。对于晶体质量的变化也给予了说明。得到的高质量立方相InGaN室温下有很强的发光峰,光致发光峰半高宽为128meV左右。
metadata_83中科院半导体所国家光电子工艺中心
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:532743
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18789
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
李顺峰,杨辉,徐大鹏,等. 高质量立方相InGaN的生长[J]. 半导体学报,2000,21(6):548.
APA 李顺峰.,杨辉.,徐大鹏.,赵德刚.,孙小玲.,...&张书明.(2000).高质量立方相InGaN的生长.半导体学报,21(6),548.
MLA 李顺峰,et al."高质量立方相InGaN的生长".半导体学报 21.6(2000):548.
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