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| UHV/CVD外延生长SiGe/Si表面反应动力学 | |
于卓; 李代宗; 成步文 ; 黄昌俊; 雷震霖; 余金中; 王启明; 梁骏吾
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| 2000 | |
| Source Publication | 半导体学报
 |
| Volume | 21Issue:6Pages:564 |
| Abstract | 利用SiH_4和GeH_4作为源气体，对UHV/CVD生长Si_(1-x)Ge_x/Si外延层的表面反应机理进行了研究，通过TPD、RHEED等实验观察了Si(100)表面SiH_4的饱和吸附、热脱附过程，得出SiH_4的分解应该是每个SiH_4分子的4个H原子全部都吸附到了Si表面，SiH_4的吸附率正比于表面空位的4次方，并分析了GeH_4的表面吸附机制。在此基础上建立了UHV/CVD生长Si_(1-x)Ge_x/Si的表面反应动力学模型,利用模型对实验结果进行了模拟，二者符合得很好。 |
| metadata_83 | 中科院半导体所 |
| Subject Area | 光电子学 |
| Funding Organization | 国家自然科学基金,国家863计划 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:532746 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18787 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 于卓,李代宗,成步文,等. UHV/CVD外延生长SiGe/Si表面反应动力学[J]. 半导体学报,2000,21(6):564. |
| APA | 于卓.,李代宗.,成步文.,黄昌俊.,雷震霖.,...&梁骏吾.(2000).UHV/CVD外延生长SiGe/Si表面反应动力学.半导体学报,21(6),564. |
| MLA | 于卓,et al."UHV/CVD外延生长SiGe/Si表面反应动力学".半导体学报 21.6(2000):564. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 5441.pdf（337KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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