SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
Raman谱研究不同缓冲层结构对Si_(1-x)Ge_x应力弛豫的影响
李代宗; 成步文; 黄昌俊; 王红杰; 于卓; 张春晖; 余金中; 王启明
2000
Source Publication半导体学报
Volume21Issue:8Pages:760
Abstract应用Raman散射谱研究超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)生长的不同结构缓冲层对恒定组分上表层Si_(1-x)Ge_x层应力弛豫的影响。Raman散射的峰位不仅与Ge组分有关,而且与其中的应力状态有关。在完全应变和完全弛豫的情况下,Si_(1-x)Ge_x层中的Si-Si振动模式相对于衬底的偏移都与Ge组分成线性关系。根据实测的Raman峰位,估算了应力弛豫。结果表明
metadata_83中科院半导体所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:532781
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18771
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
李代宗,成步文,黄昌俊,等. Raman谱研究不同缓冲层结构对Si_(1-x)Ge_x应力弛豫的影响[J]. 半导体学报,2000,21(8):760.
APA 李代宗.,成步文.,黄昌俊.,王红杰.,于卓.,...&王启明.(2000).Raman谱研究不同缓冲层结构对Si_(1-x)Ge_x应力弛豫的影响.半导体学报,21(8),760.
MLA 李代宗,et al."Raman谱研究不同缓冲层结构对Si_(1-x)Ge_x应力弛豫的影响".半导体学报 21.8(2000):760.
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