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大功率In(Ga)As/GaAs量子点激光器 | |
王占国; 刘峰奇; 梁基本; 徐波![]() ![]() | |
2000 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 21Issue:8Pages:827 |
Abstract | 利用分子束外延技术和S-K生长模式,系统研究了InAs/GaAs材料体系应变自组装量子点的形成和演化。研制出激射波长λ≈960nm,条宽100μnm,腔长800μm的In(Ga)As/GaAs量子点激光器 |
metadata_83 | 中科院半导体所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Funding Organization | 国家自然科学基金,国家863计划 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:532793 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18767 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 王占国,刘峰奇,梁基本,等. 大功率In(Ga)As/GaAs量子点激光器[J]. 半导体学报,2000,21(8):827. |
APA | 王占国.,刘峰奇.,梁基本.,徐波.,丁鼎.,...&韩勤.(2000).大功率In(Ga)As/GaAs量子点激光器.半导体学报,21(8),827. |
MLA | 王占国,et al."大功率In(Ga)As/GaAs量子点激光器".半导体学报 21.8(2000):827. |
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