不同尺寸分布的自组织In_(0.55)Al_(0.45)As/Al_(0.5)Ga_(0.5)As量子点的静压光谱

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	不同尺寸分布的自组织In_(0.55)Al_(0.45)As/Al_(0.5)Ga_(0.5)As量子点的静压光谱
	陈晔; 张旺; 李国华; 韩和相; 汪兆平; 周伟; 王占国
	2000
Source Publication	半导体学报
Volume	21 Issue:11 Pages:1092
Abstract	在15K测量了不同尺寸分布的In_(0.55)Al_(0.45)As/Al_(0.5)Ga_(0.5)As量子点的静压我致发光，静压范围为0--1.3GPa。常压下观察到三个发光峰，分别来源于不同尺寸的量子点(横向直径分别为26、52和62nm)的发光。它产的压力系数分别为82、94和98meV/GPa,都小于In_(0.55)Al_(0.45)As体材料带边的压力系数，特别是尺寸为26nm的小量子点比In_(0.55)Al_(0.45)As体材料带边小17%，并且压力系数随量子点尺寸的变小而减小。理论计算表明有效质量的增在和Γ-X混合是量子点压力系数变小的主要原因，并得到横向直径为26和52nm的小量子点的Γ－X混合势为15和10meV。根据实验还确定In_(0.55)Al_(0.45)As/Al_(0.5)Ga_(0.5)As量子点系统X能带具有Ⅱ类结构，并且估算出价带不连续量为0.15±0.02。
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体材料
Funding Organization	国家自然科学基金
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:532843
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18743
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	陈晔,张旺,李国华,等. 不同尺寸分布的自组织In_(0.55)Al_(0.45)As/Al_(0.5)Ga_(0.5)As量子点的静压光谱[J]. 半导体学报,2000,21(11):1092.
APA	陈晔.,张旺.,李国华.,韩和相.,汪兆平.,...&王占国.(2000).不同尺寸分布的自组织In_(0.55)Al_(0.45)As/Al_(0.5)Ga_(0.5)As量子点的静压光谱.半导体学报,21(11),1092.
MLA	陈晔,et al."不同尺寸分布的自组织In_(0.55)Al_(0.45)As/Al_(0.5)Ga_(0.5)As量子点的静压光谱".半导体学报 21.11(2000):1092.

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