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| 组份线性渐变SiGe缓冲层的生长及其表征 | |
李代宗; 成步文 ; 黄昌俊; 王红杰; 于卓; 张春晖; 余金中; 王启明
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| 2000 | |
| Source Publication | 半导体学报
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| Volume | 21Issue:11Pages:1111 |
| Abstract | 采用阶跃式GeH_4流量增加和温度降低的方法，超高真空化学气相淀积系统中生长了线性渐变组份的SiGe缓冲层，并在其上生长出了弛豫的Si_(0.48)Ge_(0.32)外延层。俄歇电子能谱证实缓冲层Ge组份呈线性渐变。Raman散射谱得出上表层应变弛豫度为32%,与X射线双晶衍射结果符合得很好。腐蚀的样品观察到沿两个<110>方向规律性分布、大小和螺旋走向完全一致的位错团密度约5×10~7/cm~2。分析了位错团产生的原因。 |
| metadata_83 | 中科院半导体所 |
| Subject Area | 光电子学 |
| Funding Organization | 国家自然科学基金 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:532847 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics |
Cited Times:3[CSCD]
[CSCD Record]
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| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18741 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 李代宗,成步文,黄昌俊,等. 组份线性渐变SiGe缓冲层的生长及其表征[J]. 半导体学报,2000,21(11):1111. |
| APA | 李代宗.,成步文.,黄昌俊.,王红杰.,于卓.,...&王启明.(2000).组份线性渐变SiGe缓冲层的生长及其表征.半导体学报,21(11),1111. |
| MLA | 李代宗,et al."组份线性渐变SiGe缓冲层的生长及其表征".半导体学报 21.11(2000):1111. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
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