SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
组份线性渐变SiGe缓冲层的生长及其表征
李代宗; 成步文; 黄昌俊; 王红杰; 于卓; 张春晖; 余金中; 王启明
2000
Source Publication半导体学报
Volume21Issue:11Pages:1111
Abstract采用阶跃式GeH_4流量增加和温度降低的方法,超高真空化学气相淀积系统中生长了线性渐变组份的SiGe缓冲层,并在其上生长出了弛豫的Si_(0.48)Ge_(0.32)外延层。俄歇电子能谱证实缓冲层Ge组份呈线性渐变。Raman散射谱得出上表层应变弛豫度为32%,与X射线双晶衍射结果符合得很好。腐蚀的样品观察到沿两个<110>方向规律性分布、大小和螺旋走向完全一致的位错团密度约5×10~7/cm~2。分析了位错团产生的原因。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:532847
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:3[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18741
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
李代宗,成步文,黄昌俊,等. 组份线性渐变SiGe缓冲层的生长及其表征[J]. 半导体学报,2000,21(11):1111.
APA 李代宗.,成步文.,黄昌俊.,王红杰.,于卓.,...&王启明.(2000).组份线性渐变SiGe缓冲层的生长及其表征.半导体学报,21(11),1111.
MLA 李代宗,et al."组份线性渐变SiGe缓冲层的生长及其表征".半导体学报 21.11(2000):1111.
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