SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
离子损伤对等离子体辅助分子束外延生长的 Ga NAs/ Ga As和Ga In NAs/ Ga As量子阱的影响(英文)
李联合; 潘钟; 张伟; 林耀望; 王学宇; 吴荣汉
2001
Source Publication半导体学报
Volume22Issue:1Pages:31
Abstract研究了离子损伤对等离子体辅助分子束外延生长的GaNAs/GaAs和GaInNAs/GaAs量子阱的影响。研究表明离子损伤是影响GaNAs和GaInNAs量子阱质量的关键因素。去离子磁场能有效地去除了等离子体活化产生的氮离子。对于使用去离子磁场生长的GaNAs和GaInNAs量子阱样品,X射线衍射测量和PL谱测量都表明样品的质量被显著地提高。GaInAs量子阱的PL强度已经提高到可以和同样条件下生长的GaInAs量子阱相比较,研究也表明使用的磁场强度越强,样品的光学质量提高越明显。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家攀登计划,国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:532872
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18733
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
李联合,潘钟,张伟,等. 离子损伤对等离子体辅助分子束外延生长的 Ga NAs/ Ga As和Ga In NAs/ Ga As量子阱的影响(英文)[J]. 半导体学报,2001,22(1):31.
APA 李联合,潘钟,张伟,林耀望,王学宇,&吴荣汉.(2001).离子损伤对等离子体辅助分子束外延生长的 Ga NAs/ Ga As和Ga In NAs/ Ga As量子阱的影响(英文).半导体学报,22(1),31.
MLA 李联合,et al."离子损伤对等离子体辅助分子束外延生长的 Ga NAs/ Ga As和Ga In NAs/ Ga As量子阱的影响(英文)".半导体学报 22.1(2001):31.
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