SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
使用 X射线衍射技术判定 Si C单晶体的结构和极性(英文)
郑新和; 渠波; 王玉田; 杨辉; 梁骏吾
2001
Source Publication半导体学报
Volume22Issue:1Pages:35
Abstract使用四圆衍射仪和双晶衍射技术,分析了SiC体单晶的结构和极性。SiC单晶体由化学气相淀积法获得。六方{10-15}极图证明了该单晶结构为6H型。三轴晶衍射中的ω模式衍射强度的差异判定了该单晶的Si终端面和C终端面,即极性面。两个面的一、二、三级衍射强度的测量比值与经过散射因子修正后计算的结构振幅平方比值|F(000L)|~2/|F(000-L)|~2非常吻合。因此,利用极性面的衍射强度差异,可以方便、严格地判断具有类似结构如2H{0001}、4H{0001}及3C-SiC{111}的极性。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area光电子学
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:532873
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18731
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
郑新和,渠波,王玉田,等. 使用 X射线衍射技术判定 Si C单晶体的结构和极性(英文)[J]. 半导体学报,2001,22(1):35.
APA 郑新和,渠波,王玉田,杨辉,&梁骏吾.(2001).使用 X射线衍射技术判定 Si C单晶体的结构和极性(英文).半导体学报,22(1),35.
MLA 郑新和,et al."使用 X射线衍射技术判定 Si C单晶体的结构和极性(英文)".半导体学报 22.1(2001):35.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
5413.pdf(218KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[郑新和]'s Articles
[渠波]'s Articles
[王玉田]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[郑新和]'s Articles
[渠波]'s Articles
[王玉田]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[郑新和]'s Articles
[渠波]'s Articles
[王玉田]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.