SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
InGaAs/GaAs多量子阱 SEED面阵结构特性与设计(英文)
邓晖; 陈弘达; 梁琨; 杜云; 唐君; 黄永箴; 潘钟; 马晓宇; 吴荣汉; 王启明
2001
Source Publication半导体学报
Volume22Issue:2Pages:113
Abstract讨论了谐振腔中的DBR对InGaAs/GaAs多量子阱SEED面阵光反射特性的影响。采用InGaAs/GaAs作为多量子阱SEED器件的有源区,从而获得了980nm工作波长。设计和分析了InGaAs/GaAs多量子阱SEED中的一种用于倒装焊的新型谐振腔结构。多量子阱材料是用MOCVD系统生长,利用微区光反射谱、PL谱以及X射线双晶衍射对多量子阱材料进行了测量和分析,测量结果表明多量子阱材料具有良好的质量,证明了器件结构的设计和分析是准确的。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:532888
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18725
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
邓晖,陈弘达,梁琨,等. InGaAs/GaAs多量子阱 SEED面阵结构特性与设计(英文)[J]. 半导体学报,2001,22(2):113.
APA 邓晖.,陈弘达.,梁琨.,杜云.,唐君.,...&王启明.(2001).InGaAs/GaAs多量子阱 SEED面阵结构特性与设计(英文).半导体学报,22(2),113.
MLA 邓晖,et al."InGaAs/GaAs多量子阱 SEED面阵结构特性与设计(英文)".半导体学报 22.2(2001):113.
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