SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
直接键合硅片界面键合能的理论分析
韩伟华; 余金中; 王启明
2001
Source Publication半导体学报
Volume22Issue:2Pages:140
Abstract直接键合硅片界面的键合能依赖于界面成键的密度,是退火温度和时间的函数,界面反应激活能决定着成键的行为。硅片键合能随退火温度分两步增加,这种现象被归因于界面反应存在两种不同的激活能.将硅本征氧化层与硅热氧化层两种键合界面在退火过程中的行为进行了理论分析与比较.硅本征氧化层的键合能随温度的增加要比热氧化层界面的大。键合能的饱和时间与激活能密切相关。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家973计划,国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:532894
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18719
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
韩伟华,余金中,王启明. 直接键合硅片界面键合能的理论分析[J]. 半导体学报,2001,22(2):140.
APA 韩伟华,余金中,&王启明.(2001).直接键合硅片界面键合能的理论分析.半导体学报,22(2),140.
MLA 韩伟华,et al."直接键合硅片界面键合能的理论分析".半导体学报 22.2(2001):140.
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