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| 分子束外延生长Al掺杂n型ZnS_（1-x）Tex的类DX中心 | |
卢励吾; 张砚华; K.K.Mak; Ma Z H; Wang J ; I.K.Sou; Wei Kunge
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| 2001 | |
| Source Publication | 半导体学报
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| Volume | 22Issue:2Pages:145 |
| Abstract | 应用光致发光(PL)、电容-电压(C-V)、深能级瞬态谱(DLTS)和光电导(PC)技术系统研究Al掺杂ZnS_(1-x)Te_x中与Al有关的类DX中心。实验结果表明，ZnS_(1-x)Te_x中存在与Ⅲ－Ⅴ族半导体DX中心相类似的性质。获得与Al有关的类DX中心光离化能E_i(～1.0eV和2.0eV)和发射势垒E_e(0.21eV和0.39eV)，这表明ZnS_(1-x)Te_x大晶格弛豫的出现是由类DX中心引起。 |
| metadata_83 | 中科院半导体所;香港科技大学物理系 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Funding Organization | 香港科技大学资助,国家自然科学基金 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:532895 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18717 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 卢励吾,张砚华,K.K.Mak,等. 分子束外延生长Al掺杂n型ZnS_（1-x）Tex的类DX中心[J]. 半导体学报,2001,22(2):145. |
| APA | 卢励吾.,张砚华.,K.K.Mak.,Ma Z H.,Wang J.,...&Wei Kunge.(2001).分子束外延生长Al掺杂n型ZnS_（1-x）Tex的类DX中心.半导体学报,22(2),145. |
| MLA | 卢励吾,et al."分子束外延生长Al掺杂n型ZnS_（1-x）Tex的类DX中心".半导体学报 22.2(2001):145. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 5406.pdf（348KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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