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分子束外延生长Al掺杂n型ZnS_(1-x)Tex的类DX中心 | |
卢励吾; 张砚华; K.K.Mak; Ma Z H; Wang J![]() | |
2001 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 22Issue:2Pages:145 |
Abstract | 应用光致发光(PL)、电容-电压(C-V)、深能级瞬态谱(DLTS)和光电导(PC)技术系统研究Al掺杂ZnS_(1-x)Te_x中与Al有关的类DX中心。实验结果表明,ZnS_(1-x)Te_x中存在与Ⅲ-Ⅴ族半导体DX中心相类似的性质。获得与Al有关的类DX中心光离化能E_i(~1.0eV和2.0eV)和发射势垒E_e(0.21eV和0.39eV),这表明ZnS_(1-x)Te_x大晶格弛豫的出现是由类DX中心引起。 |
metadata_83 | 中科院半导体所;香港科技大学物理系 |
Subject Area | 半导体材料 |
Funding Organization | 香港科技大学资助,国家自然科学基金 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:532895 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18717 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 卢励吾,张砚华,K.K.Mak,等. 分子束外延生长Al掺杂n型ZnS_(1-x)Tex的类DX中心[J]. 半导体学报,2001,22(2):145. |
APA | 卢励吾.,张砚华.,K.K.Mak.,Ma Z H.,Wang J.,...&Wei Kunge.(2001).分子束外延生长Al掺杂n型ZnS_(1-x)Tex的类DX中心.半导体学报,22(2),145. |
MLA | 卢励吾,et al."分子束外延生长Al掺杂n型ZnS_(1-x)Tex的类DX中心".半导体学报 22.2(2001):145. |
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