SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
分子束外延生长Al掺杂n型ZnS_(1-x)Tex的类DX中心
卢励吾; 张砚华; K.K.Mak; Ma Z H; Wang J; I.K.Sou; Wei Kunge
2001
Source Publication半导体学报
Volume22Issue:2Pages:145
Abstract应用光致发光(PL)、电容-电压(C-V)、深能级瞬态谱(DLTS)和光电导(PC)技术系统研究Al掺杂ZnS_(1-x)Te_x中与Al有关的类DX中心。实验结果表明,ZnS_(1-x)Te_x中存在与Ⅲ-Ⅴ族半导体DX中心相类似的性质。获得与Al有关的类DX中心光离化能E_i(~1.0eV和2.0eV)和发射势垒E_e(0.21eV和0.39eV),这表明ZnS_(1-x)Te_x大晶格弛豫的出现是由类DX中心引起。
metadata_83中科院半导体所;香港科技大学物理系
Subject Area半导体材料
Funding Organization香港科技大学资助,国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:532895
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18717
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
卢励吾,张砚华,K.K.Mak,等. 分子束外延生长Al掺杂n型ZnS_(1-x)Tex的类DX中心[J]. 半导体学报,2001,22(2):145.
APA 卢励吾.,张砚华.,K.K.Mak.,Ma Z H.,Wang J.,...&Wei Kunge.(2001).分子束外延生长Al掺杂n型ZnS_(1-x)Tex的类DX中心.半导体学报,22(2),145.
MLA 卢励吾,et al."分子束外延生长Al掺杂n型ZnS_(1-x)Tex的类DX中心".半导体学报 22.2(2001):145.
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