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GeSi/Si多层异质外延载流子浓度的分布 | |
张秀兰; 朱文珍; 黄大定 | |
2001 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 22Issue:3Pages:288 |
Abstract | 通过实验研究了一种与Ge_xSi_(1-x)合金表面具有良好电化学界面的电解液,利用电化学C-V方法研究了多层Ge_xSi_(1-x)/Si异质外延材料的载流子浓度纵向分布。实验结果表明 |
metadata_83 | 中科院半导体所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:532922 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18711 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 张秀兰,朱文珍,黄大定. GeSi/Si多层异质外延载流子浓度的分布[J]. 半导体学报,2001,22(3):288. |
APA | 张秀兰,朱文珍,&黄大定.(2001).GeSi/Si多层异质外延载流子浓度的分布.半导体学报,22(3),288. |
MLA | 张秀兰,et al."GeSi/Si多层异质外延载流子浓度的分布".半导体学报 22.3(2001):288. |
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