GeSi/Si多层异质外延载流子浓度的分布

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	GeSi/Si多层异质外延载流子浓度的分布
	张秀兰; 朱文珍; 黄大定
	2001
Source Publication	半导体学报
Volume	22 Issue:3 Pages:288
Abstract	通过实验研究了一种与Ge_xSi_(1-x)合金表面具有良好电化学界面的电解液，利用电化学C-V方法研究了多层Ge_xSi_(1-x)/Si异质外延材料的载流子浓度纵向分布。实验结果表明
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体材料
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:532922
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18711
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	张秀兰,朱文珍,黄大定. GeSi/Si多层异质外延载流子浓度的分布[J]. 半导体学报,2001,22(3):288.
APA	张秀兰,朱文珍,&黄大定.(2001).GeSi/Si多层异质外延载流子浓度的分布.半导体学报,22(3),288.
MLA	张秀兰,et al."GeSi/Si多层异质外延载流子浓度的分布".半导体学报 22.3(2001):288.

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