GeSi/Si多层异质外延载流子浓度的分布

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	GeSi/Si多层异质外延载流子浓度的分布
	张秀兰; 朱文珍; 黄大定
	2001
Source Publication	半导体学报
Volume	22 Issue:3 Pages:288
Abstract	通过实验研究了一种与Ge_xSi_(1-x)合金表面具有良好电化学界面的电解液，利用电化学C-V方法研究了多层Ge_xSi_(1-x)/Si异质外延材料的载流子浓度纵向分布。实验结果表明
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体材料
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:532922
Date Available	2010-11-23
Citation statistics	Cited Times:2[CSCD] [CSCD Record]
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18711
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	张秀兰,朱文珍,黄大定. GeSi/Si多层异质外延载流子浓度的分布[J]. 半导体学报,2001,22(3):288.
APA	张秀兰,朱文珍,&黄大定.(2001).GeSi/Si多层异质外延载流子浓度的分布.半导体学报,22(3),288.
MLA	张秀兰,et al."GeSi/Si多层异质外延载流子浓度的分布".半导体学报 22.3(2001):288.

Related Services

Bookmark

Google Scholar

Similar articles in Bing Scholar

Terms of Use

No data!

Social Bookmark/Share

All comments (0)

No comment.

The comment function is only available to registered usersLog In

If you have any objections to this item, please fill out the form below and the administrator will contact you as soon as possible.
Content:
Email：	*
Institution:
Verification Code:	Refresh

Any comments and suggestions are welcomed.
Title:	*
Content:
Email：	*
Verification Code:	Refresh

中国科学院半导体研究所机构知识库