SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
分布布拉格反射器(DBR)对半导体微腔一些特性的影响
刘宝利; 王炳?; 徐仲英
2001
Source Publication半导体学报
Volume22Issue:3Pages:335
Abstract从光学传输矩阵方法出发,研究了分布布拉格反射器(DBR)生长顺序的不同对半导体平面微腔中电场振幅极大值位置及整个微腔选频特性的影响;同时指出了DBR对于λ_0/2和λ_0腔不同情况的最佳生长模式。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:532932
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18707
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
刘宝利,王炳?,徐仲英. 分布布拉格反射器(DBR)对半导体微腔一些特性的影响[J]. 半导体学报,2001,22(3):335.
APA 刘宝利,王炳?,&徐仲英.(2001).分布布拉格反射器(DBR)对半导体微腔一些特性的影响.半导体学报,22(3),335.
MLA 刘宝利,et al."分布布拉格反射器(DBR)对半导体微腔一些特性的影响".半导体学报 22.3(2001):335.
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