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InGaN光致发光性质与温度的关系 | |
樊志军![]() | |
2001 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 22Issue:5Pages:569 |
Abstract | 分析了用金属有机物气相外延方法(MOVPE)在蓝宝石衬底上生长的铟镓氮(InGaN)的光致发光(PL)性质。发现在4.7K至300K范围内,随着温度升高,InGaN带边辐射向低能方向移动,峰值变化基本符合Varshni经验公式;同时InGaN发光强度虽有所衰减,但比GaN衰减程度小,分析了导致GaN和InGaN光致发光减弱的可能因素。 |
metadata_83 | 中科院半导体所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Funding Organization | 国家自然科学基金 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:532979 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18693 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 樊志军,刘祥林,万寿科,等. InGaN光致发光性质与温度的关系[J]. 半导体学报,2001,22(5):569. |
APA | 樊志军,刘祥林,万寿科,&王占国.(2001).InGaN光致发光性质与温度的关系.半导体学报,22(5),569. |
MLA | 樊志军,et al."InGaN光致发光性质与温度的关系".半导体学报 22.5(2001):569. |
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