InGaN光致发光性质与温度的关系

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	InGaN光致发光性质与温度的关系
	樊志军; 刘祥林; 万寿科; 王占国
	2001
Source Publication	半导体学报
Volume	22 Issue:5 Pages:569
Abstract	分析了用金属有机物气相外延方法(MOVPE)在蓝宝石衬底上生长的铟镓氮(InGaN)的光致发光(PL)性质。发现在4.7K至300K范围内，随着温度升高，InGaN带边辐射向低能方向移动，峰值变化基本符合Varshni经验公式；同时InGaN发光强度虽有所衰减，但比GaN衰减程度小，分析了导致GaN和InGaN光致发光减弱的可能因素。
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体材料
Funding Organization	国家自然科学基金
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:532979
Date Available	2010-11-23
Citation statistics	Cited Times:3[CSCD] [CSCD Record]
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18693
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	樊志军,刘祥林,万寿科,等. InGaN光致发光性质与温度的关系[J]. 半导体学报,2001,22(5):569.
APA	樊志军,刘祥林,万寿科,&王占国.(2001).InGaN光致发光性质与温度的关系.半导体学报,22(5),569.
MLA	樊志军,et al."InGaN光致发光性质与温度的关系".半导体学报 22.5(2001):569.

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