SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
低碳含量a-Si_(1-x)C_x∶H薄膜的化学键结构
王燕; 岳瑞峰; 韩和相; 廖显伯; 王永谦; 刁宏伟; 孔光临
2001
Source Publication半导体学报
Volume22Issue:5Pages:599
Abstract利用两种不同激发波长进行Raman测量,研究了低碳含量a-Si_(1-x)C_x:H(~<20at.%)薄膜的结构特征。采用647.1nm激发时,由于激发光能量接近于各样品的光学带隙,因而在样品中具有较大的穿透深度;而采用488nm激发时,激发光被样品表面强烈吸收,探测深度的变化造成了两种激发下Raman谱出现较大的差异。实验结果表明样品体内存在硅团簇结构,样品的自由表面存在一层浓度的缺陷层。这两种空间的不均匀性造成了高能激发时Raman谱的TO模频率和半高宽比低能激发时有大的红移和展宽。以上结果证明不同激发波长将造成Raman测量结果的差异。
metadata_83清华大学微电子学研究所;中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:532984
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18691
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王燕,岳瑞峰,韩和相,等. 低碳含量a-Si_(1-x)C_x∶H薄膜的化学键结构[J]. 半导体学报,2001,22(5):599.
APA 王燕.,岳瑞峰.,韩和相.,廖显伯.,王永谦.,...&孔光临.(2001).低碳含量a-Si_(1-x)C_x∶H薄膜的化学键结构.半导体学报,22(5),599.
MLA 王燕,et al."低碳含量a-Si_(1-x)C_x∶H薄膜的化学键结构".半导体学报 22.5(2001):599.
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