低碳含量a-Si_（1-x）C_x∶H薄膜的化学键结构

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	低碳含量a-Si_（1-x）C_x∶H薄膜的化学键结构
	王燕; 岳瑞峰; 韩和相; 廖显伯; 王永谦; 刁宏伟; 孔光临
	2001
Source Publication	半导体学报
Volume	22 Issue:5 Pages:599
Abstract	利用两种不同激发波长进行Raman测量，研究了低碳含量a-Si_(1-x)C_x:H(～<20at.%)薄膜的结构特征。采用647.1nm激发时，由于激发光能量接近于各样品的光学带隙，因而在样品中具有较大的穿透深度；而采用488nm激发时，激发光被样品表面强烈吸收，探测深度的变化造成了两种激发下Raman谱出现较大的差异。实验结果表明样品体内存在硅团簇结构，样品的自由表面存在一层浓度的缺陷层。这两种空间的不均匀性造成了高能激发时Raman谱的TO模频率和半高宽比低能激发时有大的红移和展宽。以上结果证明不同激发波长将造成Raman测量结果的差异。
metadata_83	清华大学微电子学研究所;中科院半导体所
Subject Area	半导体材料
Funding Organization	国家自然科学基金
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:532984
Date Available	2010-11-23
Citation statistics	Cited Times:1[CSCD] [CSCD Record]
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18691
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	王燕,岳瑞峰,韩和相,等. 低碳含量a-Si_（1-x）C_x∶H薄膜的化学键结构[J]. 半导体学报,2001,22(5):599.
APA	王燕.,岳瑞峰.,韩和相.,廖显伯.,王永谦.,...&孔光临.(2001).低碳含量a-Si_（1-x）C_x∶H薄膜的化学键结构.半导体学报,22(5),599.
MLA	王燕,et al."低碳含量a-Si_（1-x）C_x∶H薄膜的化学键结构".半导体学报 22.5(2001):599.

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