SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
快速热退火对带有 InGaAs盖层的 InAs/GaAs量子点发光特性的影响(英文)
魏永强; 刘会云; 徐波; 丁鼎; 梁基本; 王占国
2001
Source Publication半导体学报
Volume22Issue:6Pages:684
Abstract系统地研究了快速热退火对带有3nm In_xGa_(1-x)As(x=0,0.1,0.2)盖层的3nm高的InAs/GaAs量子点发光特性的影响。随着退火温度从650℃上升到850℃,量子点发光峰的蓝移趋势是相似的。但是,量子点发光峰的半高宽随退火温度的变化趋势明显依赖于InGaAs盖层的组分。实验结果表明In-Ga在界面的横向扩散在量子点退火过程中起了重要的作用。另外,在较高的退火温度下观测到InGaAs的发光峰。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金,国家先进材料委员会资助
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:533000
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18683
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
魏永强,刘会云,徐波,等. 快速热退火对带有 InGaAs盖层的 InAs/GaAs量子点发光特性的影响(英文)[J]. 半导体学报,2001,22(6):684.
APA 魏永强,刘会云,徐波,丁鼎,梁基本,&王占国.(2001).快速热退火对带有 InGaAs盖层的 InAs/GaAs量子点发光特性的影响(英文).半导体学报,22(6),684.
MLA 魏永强,et al."快速热退火对带有 InGaAs盖层的 InAs/GaAs量子点发光特性的影响(英文)".半导体学报 22.6(2001):684.
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