SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
GaAs太阳电池的质子辐照和退火效应(英文)
向贤碧; 杜文会; 廖显伯; 常秀兰
2001
Source Publication半导体学报
Volume22Issue:6Pages:710
Abstract对AlGaAs/GaAs太阳电池进行了质子辐照和热退火实验。质子辐照的能量为325keV,辐照的剂量为5×10~(10)-1×10~(13)cm~(-2)。实验结果表明,质子辐照造成了GaAs太阳电池光伏性能的退化,其中短路电流的退化比其它参数的退化更为明显。退火实验结果表明,200℃的低温退火可以使得辐照后的电池的光伏性能得以部分恢复。此外,实验结果还指出,在GaAs太阳电池表面加盖一层0.5mm的硼硅玻璃盖片可以明显地减少质子辐照对GaAs太阳电池性能的损伤。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:533005
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18679
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
向贤碧,杜文会,廖显伯,等. GaAs太阳电池的质子辐照和退火效应(英文)[J]. 半导体学报,2001,22(6):710.
APA 向贤碧,杜文会,廖显伯,&常秀兰.(2001).GaAs太阳电池的质子辐照和退火效应(英文).半导体学报,22(6),710.
MLA 向贤碧,et al."GaAs太阳电池的质子辐照和退火效应(英文)".半导体学报 22.6(2001):710.
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