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| GaAs太阳电池的质子辐照和退火效应（英文） | |
| 向贤碧; 杜文会; 廖显伯; 常秀兰 | |
| 2001 | |
| Source Publication | 半导体学报
 |
| Volume | 22Issue:6Pages:710 |
| Abstract | 对AlGaAs/GaAs太阳电池进行了质子辐照和热退火实验。质子辐照的能量为325keV，辐照的剂量为5×10~(10)-1×10~(13)cm~(-2)。实验结果表明，质子辐照造成了GaAs太阳电池光伏性能的退化，其中短路电流的退化比其它参数的退化更为明显。退火实验结果表明，200℃的低温退火可以使得辐照后的电池的光伏性能得以部分恢复。此外，实验结果还指出，在GaAs太阳电池表面加盖一层0.5mm的硼硅玻璃盖片可以明显地减少质子辐照对GaAs太阳电池性能的损伤。 |
| metadata_83 | 中科院半导体所 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Funding Organization | 国家自然科学基金 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:533005 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18679 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 向贤碧,杜文会,廖显伯,等. GaAs太阳电池的质子辐照和退火效应（英文）[J]. 半导体学报,2001,22(6):710. |
| APA | 向贤碧,杜文会,廖显伯,&常秀兰.(2001).GaAs太阳电池的质子辐照和退火效应（英文）.半导体学报,22(6),710. |
| MLA | 向贤碧,et al."GaAs太阳电池的质子辐照和退火效应（英文）".半导体学报 22.6(2001):710. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
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