SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
智能剥离工艺的热动力学模型(英文)
韩伟华; 余金中
2001
Source Publication半导体学报
Volume22Issue:7Pages:821
Abstract提出了注氢硅片表面借助键合氧化硅片进行剥离的热动力学模型,这种剥离现象是退火过程中氢离子注入区氢气泡横向增长的结果。氢气泡的增长速率依赖于氢复合体分解和氢分子扩散所需的激活能,氢气泡的半径是退火时间、退火温度和注氢剂量的函数。氢气泡的临界半径可根据Griffith能量平衡条件来获得,根据氢气泡增长的这一临界条件,获得了不同劈裂温度时所需的剥离时间。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金,国家973计划
Indexed ByCSCD
Language英语
CSCD IDCSCD:533029
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18667
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
韩伟华,余金中. 智能剥离工艺的热动力学模型(英文)[J]. 半导体学报,2001,22(7):821.
APA 韩伟华,&余金中.(2001).智能剥离工艺的热动力学模型(英文).半导体学报,22(7),821.
MLA 韩伟华,et al."智能剥离工艺的热动力学模型(英文)".半导体学报 22.7(2001):821.
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