SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
薄二氧化硅MOS电容电离辐射陷阱电荷研究
刘忠立
2001
Source Publication半导体学报
Volume22Issue:7Pages:904
Abstract采用高频C-V曲线方法,研究了50nm及15nm MOS电容电离辐射空穴陷阱及界面态的建立过程。二种样品电离辐射空穴陷阱电荷密度在1×10~3Gy(Si)剂量下近乎相同,而在大于3×10~3Gy(Si)_剂量下,50nm MOS电容的电荷密度约为15nm MOS电容的2倍。利用电离辐射后的隧道退火效应,计算出二种样品电离辐射陷阱电荷在Si-SiO_2界面附近分布的距离均约为4nm。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area微电子学
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:533045
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18657
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
刘忠立. 薄二氧化硅MOS电容电离辐射陷阱电荷研究[J]. 半导体学报,2001,22(7):904.
APA 刘忠立.(2001).薄二氧化硅MOS电容电离辐射陷阱电荷研究.半导体学报,22(7),904.
MLA 刘忠立."薄二氧化硅MOS电容电离辐射陷阱电荷研究".半导体学报 22.7(2001):904.
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