SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
C离子注入Si中Si-C合金的形成及其特征
王引书; 李晋闽; 王玉田; 王衍斌; 林兰英
2001
Source Publication半导体学报
Volume22Issue:8Pages:979
Abstract利用离子注入和高温退火的方法在Si中生长了C含量为0.6%-1.0%的Si_(1-x)C_x合金,研究了注入过程中产生的损伤缺陷,注入C离子的剂量及退火工艺对合金形成的影响,探讨了合金的形成机理及合金产生的应变分布的起因,如果注入的C离子剂量小于引起Si非晶化的剂量,退火过程中注入产生的损伤缺陷容易与C原子结合形成缺陷团簇,难于形成Si_(1-x)C_x合金,而预先利用Si离子注入引进损伤有利于Si_(1-x)C_x合金的形成;但如果注入的C离子可以引起Si的非晶化,预先注入产生的损伤缺陷不利于Si_(1-x)C_x合金的形成。与慢速退火工艺相比,快速热退火工艺有利于Si_(1-x)C_x合金的形成。离子注入的C原子在空间分布不均匀,退火过程中将形成应变不同的Si_(1-x)C_x合金区域。
metadata_83北京师范大学物理系;中科院半导体所;中科院近代物理所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:533061
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18649
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王引书,李晋闽,王玉田,等. C离子注入Si中Si-C合金的形成及其特征[J]. 半导体学报,2001,22(8):979.
APA 王引书,李晋闽,王玉田,王衍斌,&林兰英.(2001).C离子注入Si中Si-C合金的形成及其特征.半导体学报,22(8),979.
MLA 王引书,et al."C离子注入Si中Si-C合金的形成及其特征".半导体学报 22.8(2001):979.
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