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| 多晶硅后热退火引起SiO_2栅介质可靠性下降的原因分析及其抑制方法 | |
高文钰; 刘忠立; 于芳 ; 张兴
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| 2001 | |
| Source Publication | 半导体学报
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| Volume | 22Issue:8Pages:1002 |
| Abstract | 实验研究表明，多晶硅后的高温退火明显引起热SiO_2栅介质击穿电荷降低和FN应力下电子陷阱产生速率增加。采用N_2O氮化则可完全消除这些退火效应，而且氮化栅介质性能随着退火时间增加反而提高。分析认为，高温退火促使多晶硅内H扩散到SiO_2内同Si-O应力键反应形成Si-H是多晶硅后SiO_2栅介质可靠性退化的主要原因；氮化抑制退化效应是由于N“缝合”了SiO_2体内的Si_O应力键缺陷。 |
| metadata_83 | 北京大学微电子学研究所;中科院半导体所 |
| Subject Area | 微电子学 |
| Funding Organization | 国家自然科学基金 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:533065 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18645 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 高文钰,刘忠立,于芳,等. 多晶硅后热退火引起SiO_2栅介质可靠性下降的原因分析及其抑制方法[J]. 半导体学报,2001,22(8):1002. |
| APA | 高文钰,刘忠立,于芳,&张兴.(2001).多晶硅后热退火引起SiO_2栅介质可靠性下降的原因分析及其抑制方法.半导体学报,22(8),1002. |
| MLA | 高文钰,et al."多晶硅后热退火引起SiO_2栅介质可靠性下降的原因分析及其抑制方法".半导体学报 22.8(2001):1002. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 5370.pdf（324KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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