SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
多晶硅后热退火引起SiO_2栅介质可靠性下降的原因分析及其抑制方法
高文钰; 刘忠立; 于芳; 张兴
2001
Source Publication半导体学报
Volume22Issue:8Pages:1002
Abstract实验研究表明,多晶硅后的高温退火明显引起热SiO_2栅介质击穿电荷降低和FN应力下电子陷阱产生速率增加。采用N_2O氮化则可完全消除这些退火效应,而且氮化栅介质性能随着退火时间增加反而提高。分析认为,高温退火促使多晶硅内H扩散到SiO_2内同Si-O应力键反应形成Si-H是多晶硅后SiO_2栅介质可靠性退化的主要原因;氮化抑制退化效应是由于N“缝合”了SiO_2体内的Si_O应力键缺陷。
metadata_83北京大学微电子学研究所;中科院半导体所
Subject Area微电子学
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:533065
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18645
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
高文钰,刘忠立,于芳,等. 多晶硅后热退火引起SiO_2栅介质可靠性下降的原因分析及其抑制方法[J]. 半导体学报,2001,22(8):1002.
APA 高文钰,刘忠立,于芳,&张兴.(2001).多晶硅后热退火引起SiO_2栅介质可靠性下降的原因分析及其抑制方法.半导体学报,22(8),1002.
MLA 高文钰,et al."多晶硅后热退火引起SiO_2栅介质可靠性下降的原因分析及其抑制方法".半导体学报 22.8(2001):1002.
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