SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
GSMBE生长的用于研制HBT的SiGe/Si异质结材料
邹德恕; 徐晨; 陈建新; 史辰; 杜金玉; 高国; 沈光地; 黄大定; 李建平; 林兰英
2001
Source Publication半导体学报
Volume22Issue:8Pages:1035
Abstract用GSMBE法生长了Si/SiGe/Si异质结构材料。采用双台面结构制造了SiGe/Si NPN异质结晶体管。在发射结条宽为4μm,面积为4μm×18μm的条件下,其共发射极直流放大倍数为75,截止频率为20GHz。给出了结构设计、材料生长和器件制作工艺。
metadata_83北京工业大学电子信息与控制工程学院;中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金,国家973计划,国家自然科学基金,国家863计划
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:533072
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18641
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
邹德恕,徐晨,陈建新,等. GSMBE生长的用于研制HBT的SiGe/Si异质结材料[J]. 半导体学报,2001,22(8):1035.
APA 邹德恕.,徐晨.,陈建新.,史辰.,杜金玉.,...&林兰英.(2001).GSMBE生长的用于研制HBT的SiGe/Si异质结材料.半导体学报,22(8),1035.
MLA 邹德恕,et al."GSMBE生长的用于研制HBT的SiGe/Si异质结材料".半导体学报 22.8(2001):1035.
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