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GSMBE生长的用于研制HBT的SiGe/Si异质结材料 | |
邹德恕; 徐晨; 陈建新; 史辰; 杜金玉; 高国; 沈光地; 黄大定; 李建平; 林兰英 | |
2001 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 22Issue:8Pages:1035 |
Abstract | 用GSMBE法生长了Si/SiGe/Si异质结构材料。采用双台面结构制造了SiGe/Si NPN异质结晶体管。在发射结条宽为4μm,面积为4μm×18μm的条件下,其共发射极直流放大倍数为75,截止频率为20GHz。给出了结构设计、材料生长和器件制作工艺。 |
metadata_83 | 北京工业大学电子信息与控制工程学院;中科院半导体所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Funding Organization | 国家自然科学基金,国家973计划,国家自然科学基金,国家863计划 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:533072 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18641 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 邹德恕,徐晨,陈建新,等. GSMBE生长的用于研制HBT的SiGe/Si异质结材料[J]. 半导体学报,2001,22(8):1035. |
APA | 邹德恕.,徐晨.,陈建新.,史辰.,杜金玉.,...&林兰英.(2001).GSMBE生长的用于研制HBT的SiGe/Si异质结材料.半导体学报,22(8),1035. |
MLA | 邹德恕,et al."GSMBE生长的用于研制HBT的SiGe/Si异质结材料".半导体学报 22.8(2001):1035. |
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