GSMBE生长的用于研制HBT的SiGe/Si异质结材料

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	GSMBE生长的用于研制HBT的SiGe/Si异质结材料
	邹德恕; 徐晨; 陈建新; 史辰; 杜金玉; 高国; 沈光地; 黄大定; 李建平; 林兰英
	2001
Source Publication	半导体学报
Volume	22 Issue:8 Pages:1035
Abstract	用GSMBE法生长了Si/SiGe/Si异质结构材料。采用双台面结构制造了SiGe/Si NPN异质结晶体管。在发射结条宽为4μm，面积为4μm×18μm的条件下，其共发射极直流放大倍数为75，截止频率为20GHz。给出了结构设计、材料生长和器件制作工艺。
metadata_83	北京工业大学电子信息与控制工程学院;中科院半导体所
Subject Area	半导体材料
Funding Organization	国家自然科学基金,国家973计划,国家自然科学基金,国家863计划
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:533072
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18641
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	邹德恕,徐晨,陈建新,等. GSMBE生长的用于研制HBT的SiGe/Si异质结材料[J]. 半导体学报,2001,22(8):1035.
APA	邹德恕.,徐晨.,陈建新.,史辰.,杜金玉.,...&林兰英.(2001).GSMBE生长的用于研制HBT的SiGe/Si异质结材料.半导体学报,22(8),1035.
MLA	邹德恕,et al."GSMBE生长的用于研制HBT的SiGe/Si异质结材料".半导体学报 22.8(2001):1035.

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