分子束外延生长高应变单量子阱激光器（英文）

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	分子束外延生长高应变单量子阱激光器（英文）
	潘钟; 李联合; 徐应强; 杜云; 林耀望
	2001
Source Publication	半导体学报
Volume	22 Issue:9 Pages:1097
Abstract	采用分子束外延方法研究了高应变InGaAs/GaAs量子阱的生长技术。将InGaAs/GaAs量子阱的室温光致发光波长拓展至1160nm，其光致发光峰半峰宽只有22meV。研制出1120nm室温连续工作的InGaAs/GaAs单量子阱激光器。对于100μm条宽和800μm腔长的激光器，最大线性输出功率达到200mW，斜率效率达到0.84mW/mA，最低阈值电流密度为450A/cm~2，特征温度达到90K。
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体材料
Funding Organization	国家自然科学基金,国家973计划
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:533084
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18635
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	潘钟,李联合,徐应强,等. 分子束外延生长高应变单量子阱激光器（英文）[J]. 半导体学报,2001,22(9):1097.
APA	潘钟,李联合,徐应强,杜云,&林耀望.(2001).分子束外延生长高应变单量子阱激光器（英文）.半导体学报,22(9),1097.
MLA	潘钟,et al."分子束外延生长高应变单量子阱激光器（英文）".半导体学报 22.9(2001):1097.

Related Services

Bookmark

Google Scholar

Similar articles in Bing Scholar

Terms of Use

No data!

Social Bookmark/Share

All comments (0)

No comment.

The comment function is only available to registered usersLog In

If you have any objections to this item, please fill out the form below and the administrator will contact you as soon as possible.
Content:
Email：	*
Institution:
Verification Code:	Refresh

Any comments and suggestions are welcomed.
Title:	*
Content:
Email：	*
Verification Code:	Refresh

中国科学院半导体研究所机构知识库