SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
聚合物发光器件中输运特性的模拟分析
熊绍珍; 赵颖; 吴春亚; 郝云; 王跃; 陈有素; 杨恢东; 周祯华; 俞钢
2001
Source Publication半导体学报
Volume22Issue:9Pages:1176
Abstract对聚合物发光二极管I-V特性的测量发现,被测器件内存在着类似于某些无机器件中的负阻现象和“迟滞回线”状场致漂移的伏安特性。模拟分析表明,一种反向势垒的存在及其击穿,应是引起负阻现象的原因。缺陷态的存在及其电荷填充的变化,是导致I-V特性随偏压扫描方向变化的主要原因。而低场下的接触性能决定着发光二极管载流子的输运性质
metadata_83南开大学光电子所;中科院半导体所;UNIAX Corporation
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:533101
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:7[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18631
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
熊绍珍,赵颖,吴春亚,等. 聚合物发光器件中输运特性的模拟分析[J]. 半导体学报,2001,22(9):1176.
APA 熊绍珍.,赵颖.,吴春亚.,郝云.,王跃.,...&俞钢.(2001).聚合物发光器件中输运特性的模拟分析.半导体学报,22(9),1176.
MLA 熊绍珍,et al."聚合物发光器件中输运特性的模拟分析".半导体学报 22.9(2001):1176.
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