SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
高纯GaAs中的等离子体振荡现象
郑一阳
2001
Source Publication半导体学报
Volume22Issue:10Pages:1329
Abstract报道了一种新的半导体体效应器件——体等离子体器件,它是由很薄的高纯GaAs层构成(1-2μm),在强电场(大于200kV/cm)下产生雪崩击穿,形成一个由电子和空穴组成的等离子体,这一等离子体有较宽的等离子体振荡频率,并强烈地依赖于外磁场,因此可以做成振荡器及磁敏传感器,有广泛的用途。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:533132
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18625
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
郑一阳. 高纯GaAs中的等离子体振荡现象[J]. 半导体学报,2001,22(10):1329.
APA 郑一阳.(2001).高纯GaAs中的等离子体振荡现象.半导体学报,22(10),1329.
MLA 郑一阳."高纯GaAs中的等离子体振荡现象".半导体学报 22.10(2001):1329.
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