高纯GaAs中的等离子体振荡现象

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	高纯GaAs中的等离子体振荡现象
	郑一阳
	2001
Source Publication	半导体学报
Volume	22 Issue:10 Pages:1329
Abstract	报道了一种新的半导体体效应器件——体等离子体器件，它是由很薄的高纯GaAs层构成(1-2μm)，在强电场(大于200kV/cm)下产生雪崩击穿，形成一个由电子和空穴组成的等离子体，这一等离子体有较宽的等离子体振荡频率，并强烈地依赖于外磁场，因此可以做成振荡器及磁敏传感器，有广泛的用途。
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体材料
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:533132
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18625
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	郑一阳. 高纯GaAs中的等离子体振荡现象[J]. 半导体学报,2001,22(10):1329.
APA	郑一阳.(2001).高纯GaAs中的等离子体振荡现象.半导体学报,22(10),1329.
MLA	郑一阳."高纯GaAs中的等离子体振荡现象".半导体学报 22.10(2001):1329.

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