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高纯GaAs中的等离子体振荡现象 | |
郑一阳 | |
2001 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 22Issue:10Pages:1329 |
Abstract | 报道了一种新的半导体体效应器件——体等离子体器件,它是由很薄的高纯GaAs层构成(1-2μm),在强电场(大于200kV/cm)下产生雪崩击穿,形成一个由电子和空穴组成的等离子体,这一等离子体有较宽的等离子体振荡频率,并强烈地依赖于外磁场,因此可以做成振荡器及磁敏传感器,有广泛的用途。 |
metadata_83 | 中科院半导体所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:533132 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18625 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 郑一阳. 高纯GaAs中的等离子体振荡现象[J]. 半导体学报,2001,22(10):1329. |
APA | 郑一阳.(2001).高纯GaAs中的等离子体振荡现象.半导体学报,22(10),1329. |
MLA | 郑一阳."高纯GaAs中的等离子体振荡现象".半导体学报 22.10(2001):1329. |
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