SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
高消光比偏振不灵敏电吸收调制器(英文)
孙洋; 王圩; 陈娓兮; 刘国利; 周帆; 朱洪亮
2001
Source Publication半导体学报
Volume22Issue:11Pages:1374
Abstract用一种新的方法制作出应用于光网络系统的电吸收调制器,应用应变InGaAs/InAlAs材料做多量子阱,实验测量的调制器调制性能显示出器件的偏振不相关性,以及其高消光比(>40dB)和低电容(<0.5pF),保证了器件可以应用于高速率的传输系统(>10GHz)。
metadata_83中科院半导体所国家光电子工艺中心
Subject Area光电子学
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:533140
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18623
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
孙洋,王圩,陈娓兮,等. 高消光比偏振不灵敏电吸收调制器(英文)[J]. 半导体学报,2001,22(11):1374.
APA 孙洋,王圩,陈娓兮,刘国利,周帆,&朱洪亮.(2001).高消光比偏振不灵敏电吸收调制器(英文).半导体学报,22(11),1374.
MLA 孙洋,et al."高消光比偏振不灵敏电吸收调制器(英文)".半导体学报 22.11(2001):1374.
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