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| 离子束外延生长半导体性锰硅化合物 | |
杨君玲; 陈诺夫; 刘志凯; 杨少延 ; 柴春林; 廖梅勇; 何宏家
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| 2001 | |
| Source Publication | 半导体学报
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| Volume | 22Issue:11Pages:1429 |
| Abstract | 利用质量分析的低能双离子束外延技术得到了半导体性的锰硅化物，Mn_(27)Si_(47)和Mn_(15)Si_(26)。俄歇电子谱谐深度组分测量结果表明，在单晶Si的表面淀积了一薄层厚度约为37.5nm的Mn，另一部分Mn离子成功注入进Si基底里，注入深度为618nm。在840℃条件下在流动N_2气氛中对生长样品进行退火，X射线衍射结果表明退火后Mn_(27)Si_(47)和Mn_(15)Si_(26)结晶更好。 |
| metadata_83 | 中科院半导体所 |
| Subject Area | 光电子学 |
| Funding Organization | 国家973计划,国家攀登计划 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:533152 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics |
Cited Times:3[CSCD]
[CSCD Record]
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| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18617 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 杨君玲,陈诺夫,刘志凯,等. 离子束外延生长半导体性锰硅化合物[J]. 半导体学报,2001,22(11):1429. |
| APA | 杨君玲.,陈诺夫.,刘志凯.,杨少延.,柴春林.,...&何宏家.(2001).离子束外延生长半导体性锰硅化合物.半导体学报,22(11),1429. |
| MLA | 杨君玲,et al."离子束外延生长半导体性锰硅化合物".半导体学报 22.11(2001):1429. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 5356.pdf（312KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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