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离子束外延生长半导体性锰硅化合物 | |
杨君玲; 陈诺夫; 刘志凯; 杨少延![]() | |
2001 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 22Issue:11Pages:1429 |
Abstract | 利用质量分析的低能双离子束外延技术得到了半导体性的锰硅化物,Mn_(27)Si_(47)和Mn_(15)Si_(26)。俄歇电子谱谐深度组分测量结果表明,在单晶Si的表面淀积了一薄层厚度约为37.5nm的Mn,另一部分Mn离子成功注入进Si基底里,注入深度为618nm。在840℃条件下在流动N_2气氛中对生长样品进行退火,X射线衍射结果表明退火后Mn_(27)Si_(47)和Mn_(15)Si_(26)结晶更好。 |
metadata_83 | 中科院半导体所 |
Subject Area | 光电子学 |
Funding Organization | 国家973计划,国家攀登计划 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:533152 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18617 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 杨君玲,陈诺夫,刘志凯,等. 离子束外延生长半导体性锰硅化合物[J]. 半导体学报,2001,22(11):1429. |
APA | 杨君玲.,陈诺夫.,刘志凯.,杨少延.,柴春林.,...&何宏家.(2001).离子束外延生长半导体性锰硅化合物.半导体学报,22(11),1429. |
MLA | 杨君玲,et al."离子束外延生长半导体性锰硅化合物".半导体学报 22.11(2001):1429. |
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