SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
离子束外延生长半导体性锰硅化合物
杨君玲; 陈诺夫; 刘志凯; 杨少延; 柴春林; 廖梅勇; 何宏家
2001
Source Publication半导体学报
Volume22Issue:11Pages:1429
Abstract利用质量分析的低能双离子束外延技术得到了半导体性的锰硅化物,Mn_(27)Si_(47)和Mn_(15)Si_(26)。俄歇电子谱谐深度组分测量结果表明,在单晶Si的表面淀积了一薄层厚度约为37.5nm的Mn,另一部分Mn离子成功注入进Si基底里,注入深度为618nm。在840℃条件下在流动N_2气氛中对生长样品进行退火,X射线衍射结果表明退火后Mn_(27)Si_(47)和Mn_(15)Si_(26)结晶更好。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家973计划,国家攀登计划
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:533152
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:3[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18617
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
杨君玲,陈诺夫,刘志凯,等. 离子束外延生长半导体性锰硅化合物[J]. 半导体学报,2001,22(11):1429.
APA 杨君玲.,陈诺夫.,刘志凯.,杨少延.,柴春林.,...&何宏家.(2001).离子束外延生长半导体性锰硅化合物.半导体学报,22(11),1429.
MLA 杨君玲,et al."离子束外延生长半导体性锰硅化合物".半导体学报 22.11(2001):1429.
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