离子束外延生长半导体性锰硅化合物

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	离子束外延生长半导体性锰硅化合物
	杨君玲; 陈诺夫; 刘志凯; 杨少延; 柴春林; 廖梅勇; 何宏家
	2001
Source Publication	半导体学报
Volume	22 Issue:11 Pages:1429
Abstract	利用质量分析的低能双离子束外延技术得到了半导体性的锰硅化物，Mn_(27)Si_(47)和Mn_(15)Si_(26)。俄歇电子谱谐深度组分测量结果表明，在单晶Si的表面淀积了一薄层厚度约为37.5nm的Mn，另一部分Mn离子成功注入进Si基底里，注入深度为618nm。在840℃条件下在流动N_2气氛中对生长样品进行退火，X射线衍射结果表明退火后Mn_(27)Si_(47)和Mn_(15)Si_(26)结晶更好。
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	光电子学
Funding Organization	国家973计划,国家攀登计划
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:533152
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18617
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	杨君玲,陈诺夫,刘志凯,等. 离子束外延生长半导体性锰硅化合物[J]. 半导体学报,2001,22(11):1429.
APA	杨君玲.,陈诺夫.,刘志凯.,杨少延.,柴春林.,...&何宏家.(2001).离子束外延生长半导体性锰硅化合物.半导体学报,22(11),1429.
MLA	杨君玲,et al."离子束外延生长半导体性锰硅化合物".半导体学报 22.11(2001):1429.

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