CMOS集成电路用Φ150-200mm外延硅材料

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	CMOS集成电路用Φ150-200mm外延硅材料
	王启元; 林兰英; 何自强; 龚义元; 蔡田海; 郁元桓; 何龙珠; 高秀峰; 王建华; 邓惠芳
	2001
Source Publication	半导体学报
Volume	22 Issue:12 Pages:1538
Abstract	报道了Φ150mm CMOS硅外延材料的研究开发及集成电路应用成果，对Φ200mmP/P~-硅外延材料进行了初步探索研究。Φ150mm P/P~+硅外延片实现了批量生产，并成功应用于集成电路生产线，芯片成品率大于80%。硅外延片的参数指标能满足集成电路制造要求。
metadata_83	中科院半导体所;中科院微电子中心
Subject Area	半导体材料
Funding Organization	国家科技攻关项目
Indexed By	CSCD
Language	中文
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18611
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	王启元,林兰英,何自强,等. CMOS集成电路用Φ150-200mm外延硅材料[J]. 半导体学报,2001,22(12):1538.
APA	王启元.,林兰英.,何自强.,龚义元.,蔡田海.,...&邓惠芳.(2001).CMOS集成电路用Φ150-200mm外延硅材料.半导体学报,22(12),1538.
MLA	王启元,et al."CMOS集成电路用Φ150-200mm外延硅材料".半导体学报 22.12(2001):1538.

Related Services

Bookmark

Google Scholar

Similar articles in Bing Scholar

Terms of Use

No data!

Social Bookmark/Share

All comments (0)

No comment.

The comment function is only available to registered usersLog In

If you have any objections to this item, please fill out the form below and the administrator will contact you as soon as possible.
Content:
Email：	*
Institution:
Verification Code:	Refresh

Any comments and suggestions are welcomed.
Title:	*
Content:
Email：	*
Verification Code:	Refresh

中国科学院半导体研究所机构知识库