SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
单晶硅化学气相沉积反应器流场初探
王亲猛; 刘赵淼; 罗木昌
2001
Source Publication北京工业大学学报
Volume27Issue:4Pages:483
Abstract对单晶硅化学气相沉积(CVD)反应器在沉积过程中的流场进行了初步分析。通过数值求解三维层流Navier-Stokes方程,研究了反应器内浮力效应所引起的流场对称性破坏。结果表明,由于存在浮力效应,轴对称几何体中也会发生非轴对称流场分布,从而影响单晶硅的均匀生长。
metadata_83北京工业大学机械工程与应用电子技术学院;中科院半导体所
Subject Area半导体化学
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:535789
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18599
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王亲猛,刘赵淼,罗木昌. 单晶硅化学气相沉积反应器流场初探[J]. 北京工业大学学报,2001,27(4):483.
APA 王亲猛,刘赵淼,&罗木昌.(2001).单晶硅化学气相沉积反应器流场初探.北京工业大学学报,27(4),483.
MLA 王亲猛,et al."单晶硅化学气相沉积反应器流场初探".北京工业大学学报 27.4(2001):483.
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