高温热退火时异质结薄膜CeO_2/Si界面扩散-反应的机理研究

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	高温热退火时异质结薄膜CeO_2/Si界面扩散-反应的机理研究
	吴正龙; 杨锡震; 李强胜; 黄大定
	1999
Source Publication	北京师范大学学报. 自然科学版
Volume	332 Issue:0
metadata_83	北京师范大学分析测试中心;北京师范大学物理学系;中科院半导体所
Subject Area	半导体材料
Funding Organization	国家自然科学基金
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:540935
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18593
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	吴正龙,杨锡震,李强胜,等. 高温热退火时异质结薄膜CeO_2/Si界面扩散-反应的机理研究[J]. 北京师范大学学报. 自然科学版,1999,332(0).
APA	吴正龙,杨锡震,李强胜,&黄大定.(1999).高温热退火时异质结薄膜CeO_2/Si界面扩散-反应的机理研究.北京师范大学学报. 自然科学版,332(0).
MLA	吴正龙,et al."高温热退火时异质结薄膜CeO_2/Si界面扩散-反应的机理研究".北京师范大学学报. 自然科学版 332.0(1999).

Related Services

Bookmark

Google Scholar

Similar articles in Bing Scholar

Terms of Use

No data!

Social Bookmark/Share

All comments (0)

No comment.

The comment function is only available to registered usersLog In

If you have any objections to this item, please fill out the form below and the administrator will contact you as soon as possible.
Content:
Email：	*
Institution:
Verification Code:	Refresh

Any comments and suggestions are welcomed.
Title:	*
Content:
Email：	*
Verification Code:	Refresh

中国科学院半导体研究所机构知识库