SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
高温热退火时异质结薄膜CeO_2/Si界面扩散-反应的机理研究
吴正龙; 杨锡震; 李强胜; 黄大定
1999
Source Publication北京师范大学学报. 自然科学版
Volume332Issue:0
metadata_83北京师范大学分析测试中心;北京师范大学物理学系;中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:540935
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18593
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
吴正龙,杨锡震,李强胜,等. 高温热退火时异质结薄膜CeO_2/Si界面扩散-反应的机理研究[J]. 北京师范大学学报. 自然科学版,1999,332(0).
APA 吴正龙,杨锡震,李强胜,&黄大定.(1999).高温热退火时异质结薄膜CeO_2/Si界面扩散-反应的机理研究.北京师范大学学报. 自然科学版,332(0).
MLA 吴正龙,et al."高温热退火时异质结薄膜CeO_2/Si界面扩散-反应的机理研究".北京师范大学学报. 自然科学版 332.0(1999).
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