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高温热退火时异质结薄膜CeO_2/Si界面扩散-反应的机理研究 | |
吴正龙; 杨锡震; 李强胜; 黄大定 | |
1999 | |
Source Publication | 北京师范大学学报. 自然科学版
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Volume | 332Issue:0 |
metadata_83 | 北京师范大学分析测试中心;北京师范大学物理学系;中科院半导体所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Funding Organization | 国家自然科学基金 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:540935 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18593 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 吴正龙,杨锡震,李强胜,等. 高温热退火时异质结薄膜CeO_2/Si界面扩散-反应的机理研究[J]. 北京师范大学学报. 自然科学版,1999,332(0). |
APA | 吴正龙,杨锡震,李强胜,&黄大定.(1999).高温热退火时异质结薄膜CeO_2/Si界面扩散-反应的机理研究.北京师范大学学报. 自然科学版,332(0). |
MLA | 吴正龙,et al."高温热退火时异质结薄膜CeO_2/Si界面扩散-反应的机理研究".北京师范大学学报. 自然科学版 332.0(1999). |
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5344.pdf(164KB) | 限制开放 | -- | Application Full Text |
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