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| InGaAs/InGaAsP量子阱激光器材料带隙蓝移研究 | |
刘超; 李国辉; 韩德俊; 姬成周; 陈涌海 ; 叶小玲
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| 2001 | |
| Source Publication | 北京师范大学学报. 自然科学版
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| Volume | 37Issue:2Pages:170 |
| Abstract | 为了在光开关器件的制作中实现低传输损耗的光波导，对InGaAs/InGaAsP分别限制异质结多量子阱(SCH-MQW)激光器结构进行了一系列带隙蓝移实验。将能量1～2MeV、注量1～5×10~(13)cm~(-2)的P~+注入到实验样品后，在700℃下快速热退火90s。发现光致发光谱的峰值位置发生蓝移9～89nm。蓝移量随着注入能量和注量的增大而增大，并且能量比注量对蓝移的影响更大。 |
| metadata_83 | 北京师范大学低能核物理研究所;中科院半导体所 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Funding Organization | 北京市科技新星计划,国家自然科学基金 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:541199 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18591 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 刘超,李国辉,韩德俊,等. InGaAs/InGaAsP量子阱激光器材料带隙蓝移研究[J]. 北京师范大学学报. 自然科学版,2001,37(2):170. |
| APA | 刘超,李国辉,韩德俊,姬成周,陈涌海,&叶小玲.(2001).InGaAs/InGaAsP量子阱激光器材料带隙蓝移研究.北京师范大学学报. 自然科学版,37(2),170. |
| MLA | 刘超,et al."InGaAs/InGaAsP量子阱激光器材料带隙蓝移研究".北京师范大学学报. 自然科学版 37.2(2001):170. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 5343.pdf（176KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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