SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
InGaAs/InGaAsP量子阱激光器材料带隙蓝移研究
刘超; 李国辉; 韩德俊; 姬成周; 陈涌海; 叶小玲
2001
Source Publication北京师范大学学报. 自然科学版
Volume37Issue:2Pages:170
Abstract为了在光开关器件的制作中实现低传输损耗的光波导,对InGaAs/InGaAsP分别限制异质结多量子阱(SCH-MQW)激光器结构进行了一系列带隙蓝移实验。将能量1~2MeV、注量1~5×10~(13)cm~(-2)的P~+注入到实验样品后,在700℃下快速热退火90s。发现光致发光谱的峰值位置发生蓝移9~89nm。蓝移量随着注入能量和注量的增大而增大,并且能量比注量对蓝移的影响更大。
metadata_83北京师范大学低能核物理研究所;中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization北京市科技新星计划,国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:541199
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18591
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
刘超,李国辉,韩德俊,等. InGaAs/InGaAsP量子阱激光器材料带隙蓝移研究[J]. 北京师范大学学报. 自然科学版,2001,37(2):170.
APA 刘超,李国辉,韩德俊,姬成周,陈涌海,&叶小玲.(2001).InGaAs/InGaAsP量子阱激光器材料带隙蓝移研究.北京师范大学学报. 自然科学版,37(2),170.
MLA 刘超,et al."InGaAs/InGaAsP量子阱激光器材料带隙蓝移研究".北京师范大学学报. 自然科学版 37.2(2001):170.
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