SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的XPS研究
李庚伟; 吴正龙; 杨锡震; 杨少延; 张建辉; 刘志凯
2001
Source Publication北京师范大学学报. 自然科学版
Volume37Issue:2Pages:174
Abstract利用X射线光电子能谱深度剖析方法对ZnO/Si异质结构进行了分析。用该法可生长出正化学比的ZnO,不过生长的ZnO薄膜存在孔隙,工艺还有待进一步改进。
metadata_83北京师范大学分析测试中心;中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家863计划
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:541200
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18589
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
李庚伟,吴正龙,杨锡震,等. 氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的XPS研究[J]. 北京师范大学学报. 自然科学版,2001,37(2):174.
APA 李庚伟,吴正龙,杨锡震,杨少延,张建辉,&刘志凯.(2001).氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的XPS研究.北京师范大学学报. 自然科学版,37(2),174.
MLA 李庚伟,et al."氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的XPS研究".北京师范大学学报. 自然科学版 37.2(2001):174.
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