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RF-MBE生长AlGaN/GaN二维电子气材料 | |
胡国新; 孙殿照; 王晓亮; 刘宏新; 刘成海; 曾一平; 李晋闽; 林兰英 | |
2001 | |
Source Publication | 材料科学与工艺
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Volume | 9Issue:3Pages:316 |
metadata_83 | 中科院半导体所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:548008 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18585 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 胡国新,孙殿照,王晓亮,等. RF-MBE生长AlGaN/GaN二维电子气材料[J]. 材料科学与工艺,2001,9(3):316. |
APA | 胡国新.,孙殿照.,王晓亮.,刘宏新.,刘成海.,...&林兰英.(2001).RF-MBE生长AlGaN/GaN二维电子气材料.材料科学与工艺,9(3),316. |
MLA | 胡国新,et al."RF-MBE生长AlGaN/GaN二维电子气材料".材料科学与工艺 9.3(2001):316. |
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