RF-MBE生长AlGaN/GaN二维电子气材料

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	RF-MBE生长AlGaN/GaN二维电子气材料
	胡国新; 孙殿照; 王晓亮; 刘宏新; 刘成海; 曾一平; 李晋闽; 林兰英
	2001
Source Publication	材料科学与工艺
Volume	9 Issue:3 Pages:316
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体材料
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:548008
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18585
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	胡国新,孙殿照,王晓亮,等. RF-MBE生长AlGaN/GaN二维电子气材料[J]. 材料科学与工艺,2001,9(3):316.
APA	胡国新.,孙殿照.,王晓亮.,刘宏新.,刘成海.,...&林兰英.(2001).RF-MBE生长AlGaN/GaN二维电子气材料.材料科学与工艺,9(3),316.
MLA	胡国新,et al."RF-MBE生长AlGaN/GaN二维电子气材料".材料科学与工艺 9.3(2001):316.

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