SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
Ge_xSi_(1-x)材料生长的改善
李代宗; 于卓; 雷震霖; 成步文; 余金中; 王启明
2000
Source Publication材料研究学报
Volume14Issue:2Pages:215
Abstract利用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)系统在650℃生长出表面光亮的GeSi单晶。在1200L/min分子泵与前级机械泵间串接450L/min分子泵,改善了生长环境。串接分子泵后生长的样品的X射线双晶衍射分析表明,外延层衍射峰半宽仅为198arcsec,且出现了Pendellosung干涉条纹,说明外延层结晶质量很好。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:550863
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18583
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
李代宗,于卓,雷震霖,等. Ge_xSi_(1-x)材料生长的改善[J]. 材料研究学报,2000,14(2):215.
APA 李代宗,于卓,雷震霖,成步文,余金中,&王启明.(2000).Ge_xSi_(1-x)材料生长的改善.材料研究学报,14(2),215.
MLA 李代宗,et al."Ge_xSi_(1-x)材料生长的改善".材料研究学报 14.2(2000):215.
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