SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
硅光电负阻器件的光双稳态瞬态特性
郑元芬; 郭维廉; 张世林; 张培宁; 李树荣; 郑云光; 陈弘达; 吴荣汉; 林世鸣; 芦秀玲
2000
Source Publication电子学报
Volume28Issue:8Pages:66
Abstract在该文中,一方面对电路参数与硅光电负阻器件的光学双稳态开关时间的关系进行了研究,另一方面对器件在低、中、高三个不同输入光强区的光学双稳态响应的变化趋势进行了研究。硅光电负阻器件包括有各种类型,该文主要对“λ”型双极光电负阻晶体管(PLBT)以电阻和光电二极管作为负载的情况进行了讨论。
metadata_83天津大学电子信息工程学院;中科院半导体所
Subject Area光电子学
Funding Organization集成光电子学联合国家重点实验室基金,国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:580092
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18563
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
郑元芬,郭维廉,张世林,等. 硅光电负阻器件的光双稳态瞬态特性[J]. 电子学报,2000,28(8):66.
APA 郑元芬.,郭维廉.,张世林.,张培宁.,李树荣.,...&芦秀玲.(2000).硅光电负阻器件的光双稳态瞬态特性.电子学报,28(8),66.
MLA 郑元芬,et al."硅光电负阻器件的光双稳态瞬态特性".电子学报 28.8(2000):66.
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