SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
非晶硅Pin二极管的1MeV电子幅照效应
李柳青; 廖显伯; 游志朴
2001
Source Publication电子学报
Volume29Issue:8Pages:1076
Abstract报道a-Si:H本征膜及Pin二极管的1MeV1.4×10~(15),4.2×10~(15),8.4×10~(15)/cm~2电子幅照实验结果和退火行为。测量了电子辐照对a-Si:H光暗电导率和光致发光谱的影响,以及a-Si:H Pin二极管光伏特性和光谱响应随电子辐照剂量的变化。发现电子辐照在a-Si:H本征膜和二极管中引起严重的损伤,和二极管光谱响应的峰值“红移”。但未见饱和现象,还观测到明显的室温恢复现象;但高温退火处理后未能完全恢复。该文对以上实验结果给出了合理的解释。
metadata_83北京印刷学院基础部;中科院半导体所;四川大学物理系
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:580575
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18549
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
李柳青,廖显伯,游志朴. 非晶硅Pin二极管的1MeV电子幅照效应[J]. 电子学报,2001,29(8):1076.
APA 李柳青,廖显伯,&游志朴.(2001).非晶硅Pin二极管的1MeV电子幅照效应.电子学报,29(8),1076.
MLA 李柳青,et al."非晶硅Pin二极管的1MeV电子幅照效应".电子学报 29.8(2001):1076.
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