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| 低温下分子束外延生长GaAs的光致发光研究 | |
江德生 ; 吕振东; 崔丽秋; 周向前; 孙宝权; 徐仲英
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| 1999 | |
| Source Publication | 发光学报
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| Volume | 20Issue:1Pages:7 |
| Abstract | 研究了低温下分子束外延生长GaAs(LTG-GaAs)样品的稳态和瞬态发光。从200℃生长的样品中可测到很弱但清晰可辨的稳态发光峰，峰的能量位置相对于体GaAs激子峰有一定蓝移。此外，发现在体GaAs上生长LTG-GaAs薄膜可大大减小体GaAs衬底材料中本片发光的衰减时间，但对(e,A°)发光影响不大。用上转换方法对退火和未退火LTG-GaAs样品瞬态发光进行了测量，获得了关于LTG-GaAs中复合中心和陷阱中心的信息。 |
| metadata_83 | 中科院半导体所 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:582195 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18543 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 江德生,吕振东,崔丽秋,等. 低温下分子束外延生长GaAs的光致发光研究[J]. 发光学报,1999,20(1):7. |
| APA | 江德生,吕振东,崔丽秋,周向前,孙宝权,&徐仲英.(1999).低温下分子束外延生长GaAs的光致发光研究.发光学报,20(1),7. |
| MLA | 江德生,et al."低温下分子束外延生长GaAs的光致发光研究".发光学报 20.1(1999):7. |
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