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低温下分子束外延生长GaAs的光致发光研究 | |
江德生![]() | |
1999 | |
Source Publication | 发光学报
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Volume | 20Issue:1Pages:7 |
Abstract | 研究了低温下分子束外延生长GaAs(LTG-GaAs)样品的稳态和瞬态发光。从200℃生长的样品中可测到很弱但清晰可辨的稳态发光峰,峰的能量位置相对于体GaAs激子峰有一定蓝移。此外,发现在体GaAs上生长LTG-GaAs薄膜可大大减小体GaAs衬底材料中本片发光的衰减时间,但对(e,A°)发光影响不大。用上转换方法对退火和未退火LTG-GaAs样品瞬态发光进行了测量,获得了关于LTG-GaAs中复合中心和陷阱中心的信息。 |
metadata_83 | 中科院半导体所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:582195 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18543 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 江德生,吕振东,崔丽秋,等. 低温下分子束外延生长GaAs的光致发光研究[J]. 发光学报,1999,20(1):7. |
APA | 江德生,吕振东,崔丽秋,周向前,孙宝权,&徐仲英.(1999).低温下分子束外延生长GaAs的光致发光研究.发光学报,20(1),7. |
MLA | 江德生,et al."低温下分子束外延生长GaAs的光致发光研究".发光学报 20.1(1999):7. |
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