SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
低温下分子束外延生长GaAs的光致发光研究
江德生; 吕振东; 崔丽秋; 周向前; 孙宝权; 徐仲英
1999
Source Publication发光学报
Volume20Issue:1Pages:7
Abstract研究了低温下分子束外延生长GaAs(LTG-GaAs)样品的稳态和瞬态发光。从200℃生长的样品中可测到很弱但清晰可辨的稳态发光峰,峰的能量位置相对于体GaAs激子峰有一定蓝移。此外,发现在体GaAs上生长LTG-GaAs薄膜可大大减小体GaAs衬底材料中本片发光的衰减时间,但对(e,A°)发光影响不大。用上转换方法对退火和未退火LTG-GaAs样品瞬态发光进行了测量,获得了关于LTG-GaAs中复合中心和陷阱中心的信息。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:582195
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18543
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
江德生,吕振东,崔丽秋,等. 低温下分子束外延生长GaAs的光致发光研究[J]. 发光学报,1999,20(1):7.
APA 江德生,吕振东,崔丽秋,周向前,孙宝权,&徐仲英.(1999).低温下分子束外延生长GaAs的光致发光研究.发光学报,20(1),7.
MLA 江德生,et al."低温下分子束外延生长GaAs的光致发光研究".发光学报 20.1(1999):7.
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