SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
红光InAlAs量子点的结构和光学性质
周伟; 梁基本; 徐波; 龚谦; 李含轩; 刘峰奇; 姜卫红; 江潮; 许怀哲; 丁鼎; 张金福; 王占国
1999
Source Publication发光学报
Volume20Issue:3Pages:230
Abstract利用MBE方法在(001)衬底上成功地生长了密度大、尺寸小、发红光的InAlAs/Al-GaAs量子点结构。通过原子力显微镜观测表明,InAlAs量子点的密度和大小都随覆盖厚度的增加而增大;发现Al原子的表面迁移率决定InAlAs量子点的形貌。光荧光谱证实了量子点的发光峰值在红光范围,并结合形貌的统计得到了量子点的发光峰展宽主要是受量子点的横向尺寸影响。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:582244
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18533
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
周伟,梁基本,徐波,等. 红光InAlAs量子点的结构和光学性质[J]. 发光学报,1999,20(3):230.
APA 周伟.,梁基本.,徐波.,龚谦.,李含轩.,...&王占国.(1999).红光InAlAs量子点的结构和光学性质.发光学报,20(3),230.
MLA 周伟,et al."红光InAlAs量子点的结构和光学性质".发光学报 20.3(1999):230.
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