红光InAlAs量子点的结构和光学性质

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	红光InAlAs量子点的结构和光学性质
	周伟; 梁基本; 徐波; 龚谦; 李含轩; 刘峰奇; 姜卫红; 江潮; 许怀哲; 丁鼎; 张金福; 王占国
	1999
Source Publication	发光学报
Volume	20 Issue:3 Pages:230
Abstract	利用MBE方法在(001)衬底上成功地生长了密度大、尺寸小、发红光的InAlAs/Al-GaAs量子点结构。通过原子力显微镜观测表明，InAlAs量子点的密度和大小都随覆盖厚度的增加而增大；发现Al原子的表面迁移率决定InAlAs量子点的形貌。光荧光谱证实了量子点的发光峰值在红光范围，并结合形貌的统计得到了量子点的发光峰展宽主要是受量子点的横向尺寸影响。
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体材料
Funding Organization	国家自然科学基金
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:582244
Date Available	2010-11-23
Citation statistics	Cited Times:1[CSCD] [CSCD Record]
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18533
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	周伟,梁基本,徐波,等. 红光InAlAs量子点的结构和光学性质[J]. 发光学报,1999,20(3):230.
APA	周伟.,梁基本.,徐波.,龚谦.,李含轩.,...&王占国.(1999).红光InAlAs量子点的结构和光学性质.发光学报,20(3),230.
MLA	周伟,et al."红光InAlAs量子点的结构和光学性质".发光学报 20.3(1999):230.

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