SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
Be掺杂InAs自组织量子点的发光特性
王海龙; 朱海军; 封松林; 宁东; 汪辉; 王晓东; 江德生
2000
Source Publication发光学报
Volume21Issue:1Pages:20
Abstract首次细致地研究了InAs量子点中直接掺杂Be对其发光特性的影响。光致发光(PL)谱的研究表明,较低掺杂浓度时,发光峰蓝移,同时伴随着发光谱线窄。而较高浓度的掺杂会对量子点的光谱特性产生不良的影响,发光强度明显变弱。相信该研究对InAs自组织量子点在器件应用方面有很重要的意义。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家攀登计划,国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:582281
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18529
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王海龙,朱海军,封松林,等. Be掺杂InAs自组织量子点的发光特性[J]. 发光学报,2000,21(1):20.
APA 王海龙.,朱海军.,封松林.,宁东.,汪辉.,...&江德生.(2000).Be掺杂InAs自组织量子点的发光特性.发光学报,21(1),20.
MLA 王海龙,et al."Be掺杂InAs自组织量子点的发光特性".发光学报 21.1(2000):20.
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