单晶硅中铒点缺陷及Er-O复合缺陷电子结构的EHMO计算

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	单晶硅中铒点缺陷及Er-O复合缺陷电子结构的EHMO计算
	薛俊明; 刘志钢; 孙钟林; 周伟; 赵颖; 吴春亚; 李桂华
	1999
Source Publication	光电子·激光
Volume	10 Issue:5 Pages:419
Abstract	本文采用集团模型和推广的Hucket分子轨道理论(EHMO)计算c-Si中Er点缺陷及Er-O复合缺陷的原子构型及电子结构。计算结果符合实验及一些文献的第一性原理计算结果,解释了Er有c-Si中的发光特性。
metadata_83	南开大学光电子薄膜器件与技术所;中科院半导体所
Subject Area	半导体材料
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:599603
Date Available	2010-11-23
Citation statistics	Cited Times:1[CSCD] [CSCD Record]
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18505
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	薛俊明,刘志钢,孙钟林,等. 单晶硅中铒点缺陷及Er-O复合缺陷电子结构的EHMO计算[J]. 光电子·激光,1999,10(5):419.
APA	薛俊明.,刘志钢.,孙钟林.,周伟.,赵颖.,...&李桂华.(1999).单晶硅中铒点缺陷及Er-O复合缺陷电子结构的EHMO计算.光电子·激光,10(5),419.
MLA	薛俊明,et al."单晶硅中铒点缺陷及Er-O复合缺陷电子结构的EHMO计算".光电子·激光 10.5(1999):419.

Related Services

Bookmark

Google Scholar

Similar articles in Bing Scholar

Terms of Use

No data!

Social Bookmark/Share

All comments (0)

No comment.

The comment function is only available to registered usersLog In

If you have any objections to this item, please fill out the form below and the administrator will contact you as soon as possible.
Content:
Email：	*
Institution:
Verification Code:	Refresh

Any comments and suggestions are welcomed.
Title:	*
Content:
Email：	*
Verification Code:	Refresh

中国科学院半导体研究所机构知识库