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单晶硅中铒点缺陷及Er-O复合缺陷电子结构的EHMO计算 | |
薛俊明; 刘志钢; 孙钟林; 周伟; 赵颖; 吴春亚; 李桂华 | |
1999 | |
Source Publication | 光电子·激光
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Volume | 10Issue:5Pages:419 |
Abstract | 本文采用集团模型和推广的Hucket分子轨道理论(EHMO)计算c-Si中Er点缺陷及Er-O复合缺陷的原子构型及电子结构。计算结果符合实验及一些文献的第一性原理计算结果,解释了Er有c-Si中的发光特性。 |
metadata_83 | 南开大学光电子薄膜器件与技术所;中科院半导体所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:599603 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18505 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 薛俊明,刘志钢,孙钟林,等. 单晶硅中铒点缺陷及Er-O复合缺陷电子结构的EHMO计算[J]. 光电子·激光,1999,10(5):419. |
APA | 薛俊明.,刘志钢.,孙钟林.,周伟.,赵颖.,...&李桂华.(1999).单晶硅中铒点缺陷及Er-O复合缺陷电子结构的EHMO计算.光电子·激光,10(5),419. |
MLA | 薛俊明,et al."单晶硅中铒点缺陷及Er-O复合缺陷电子结构的EHMO计算".光电子·激光 10.5(1999):419. |
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