单晶硅中铒点缺陷及Er-O复合缺陷电子结构的EHMO计算

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	单晶硅中铒点缺陷及Er-O复合缺陷电子结构的EHMO计算
	薛俊明; 刘志钢; 孙钟林; 周伟; 赵颖; 吴春亚; 李桂华
	1999
Source Publication	光电子·激光
Volume	10 Issue:5 Pages:419
Abstract	本文采用集团模型和推广的Hucket分子轨道理论(EHMO)计算c-Si中Er点缺陷及Er-O复合缺陷的原子构型及电子结构。计算结果符合实验及一些文献的第一性原理计算结果,解释了Er有c-Si中的发光特性。
metadata_83	南开大学光电子薄膜器件与技术所;中科院半导体所
Subject Area	半导体材料
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:599603
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18505
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	薛俊明,刘志钢,孙钟林,等. 单晶硅中铒点缺陷及Er-O复合缺陷电子结构的EHMO计算[J]. 光电子·激光,1999,10(5):419.
APA	薛俊明.,刘志钢.,孙钟林.,周伟.,赵颖.,...&李桂华.(1999).单晶硅中铒点缺陷及Er-O复合缺陷电子结构的EHMO计算.光电子·激光,10(5),419.
MLA	薛俊明,et al."单晶硅中铒点缺陷及Er-O复合缺陷电子结构的EHMO计算".光电子·激光 10.5(1999):419.

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