SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
GaAs/AlGaAs谐振腔增强型光探测器的实现及其特性研究
黄永清; 刘凯; 李建新; 任晓敏; 马骁宇
2000
Source Publication光电子·激光
Volume11Issue:1Pages:1
Abstract报导GaAs/AlGaAs谐振腔增强型(RCE)光探测器的实验研究结果,并对器件的特性进行了理论分析。通过实验验证了RCE器件谐振腔两个镜面的反射率随着波长的变化以及器件分层结构折射率差二者对器件性能的影响,并证明了分析理论的正确性。
metadata_83北京邮电大学66#;中科院半导体所
Subject Area半导体器件
Funding Organization国家自然科学基金,教育部留学回国人员基金,国家863计划,北京邮电大学校科研基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:599652
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18501
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
黄永清,刘凯,李建新,等. GaAs/AlGaAs谐振腔增强型光探测器的实现及其特性研究[J]. 光电子·激光,2000,11(1):1.
APA 黄永清,刘凯,李建新,任晓敏,&马骁宇.(2000).GaAs/AlGaAs谐振腔增强型光探测器的实现及其特性研究.光电子·激光,11(1),1.
MLA 黄永清,et al."GaAs/AlGaAs谐振腔增强型光探测器的实现及其特性研究".光电子·激光 11.1(2000):1.
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