SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
MOCVD生长碳掺杂GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器
廉鹏; 邹德恕; 高国; 殷涛; 陈昌华; 徐遵图; 沈光地; 马晓宇; 陈良惠
2000
Source Publication光电子·激光
Volume11Issue:1Pages:4
Abstract利用低压金属有机金属化合物汽相淀积方法,以液态CCl_4为掺杂源生长了高质量C掺杂GaAs/AlGaAs材料,并对生长机理、材料特性以及C掺杂对大功率半导体激光器的影响进行了分析。在材料研究的基础上生长了以C为P型掺杂剂的GaAs/AlGaAs/InGaAs应变量子阱半导体激光器结构,置备了高性能980 nm大功率半导体激光器。
metadata_83北京工业大学电子工程学系;中科院半导体所
Subject Area半导体器件
Funding Organization北京市自然科学基金,国家863计划,国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:599653
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18499
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
廉鹏,邹德恕,高国,等. MOCVD生长碳掺杂GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器[J]. 光电子·激光,2000,11(1):4.
APA 廉鹏.,邹德恕.,高国.,殷涛.,陈昌华.,...&陈良惠.(2000).MOCVD生长碳掺杂GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器.光电子·激光,11(1),4.
MLA 廉鹏,et al."MOCVD生长碳掺杂GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器".光电子·激光 11.1(2000):4.
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