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| MOCVD生长碳掺杂GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器 | |
廉鹏; 邹德恕; 高国; 殷涛; 陈昌华; 徐遵图; 沈光地; 马晓宇; 陈良惠
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| 2000 | |
| Source Publication | 光电子·激光
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| Volume | 11Issue:1Pages:4 |
| Abstract | 利用低压金属有机金属化合物汽相淀积方法,以液态CCl_4为掺杂源生长了高质量C掺杂GaAs/AlGaAs材料,并对生长机理、材料特性以及C掺杂对大功率半导体激光器的影响进行了分析。在材料研究的基础上生长了以C为P型掺杂剂的GaAs/AlGaAs/InGaAs应变量子阱半导体激光器结构,置备了高性能980 nm大功率半导体激光器。 |
| metadata_83 | 北京工业大学电子工程学系;中科院半导体所 |
| Subject Area | 半导体器件 |
| Funding Organization | 北京市自然科学基金,国家863计划,国家自然科学基金 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:599653 |
| Date Available | 2010-11-23 |
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| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18499 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 廉鹏,邹德恕,高国,等. MOCVD生长碳掺杂GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器[J]. 光电子·激光,2000,11(1):4. |
| APA | 廉鹏.,邹德恕.,高国.,殷涛.,陈昌华.,...&陈良惠.(2000).MOCVD生长碳掺杂GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器.光电子·激光,11(1),4. |
| MLA | 廉鹏,et al."MOCVD生长碳掺杂GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器".光电子·激光 11.1(2000):4. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 5297.pdf（234KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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