多量子阱光开关器件的激子吸收及光调制特性

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	多量子阱光开关器件的激子吸收及光调制特性
	陈弘达; 陈志标; 杜云; 黄永箴; 吴荣汉
	2000
Source Publication	光电子·激光
Volume	11 Issue:2 Pages:143
Abstract	分析了GaAs/AlGaAs半导体多量子阱光开关器件的室温激子吸收行为及光调制特性，优化设计了多量子阱结构，研制出常通型和常关型两种类型光开关器件，并对器件的光调制特性进行了测量与研究。实验得出的结构与理论计算相符合。
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	光电子学
Funding Organization	国家自然科学基金
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:599694
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18495
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	陈弘达,陈志标,杜云,等. 多量子阱光开关器件的激子吸收及光调制特性[J]. 光电子·激光,2000,11(2):143.
APA	陈弘达,陈志标,杜云,黄永箴,&吴荣汉.(2000).多量子阱光开关器件的激子吸收及光调制特性.光电子·激光,11(2),143.
MLA	陈弘达,et al."多量子阱光开关器件的激子吸收及光调制特性".光电子·激光 11.2(2000):143.

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