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多量子阱光开关器件的激子吸收及光调制特性 | |
陈弘达; 陈志标; 杜云; 黄永箴; 吴荣汉 | |
2000 | |
Source Publication | 光电子·激光
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Volume | 11Issue:2Pages:143 |
Abstract | 分析了GaAs/AlGaAs半导体多量子阱光开关器件的室温激子吸收行为及光调制特性,优化设计了多量子阱结构,研制出常通型和常关型两种类型光开关器件,并对器件的光调制特性进行了测量与研究。实验得出的结构与理论计算相符合。 |
metadata_83 | 中科院半导体所 |
Subject Area | 光电子学 |
Funding Organization | 国家自然科学基金 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:599694 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18495 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 陈弘达,陈志标,杜云,等. 多量子阱光开关器件的激子吸收及光调制特性[J]. 光电子·激光,2000,11(2):143. |
APA | 陈弘达,陈志标,杜云,黄永箴,&吴荣汉.(2000).多量子阱光开关器件的激子吸收及光调制特性.光电子·激光,11(2),143. |
MLA | 陈弘达,et al."多量子阱光开关器件的激子吸收及光调制特性".光电子·激光 11.2(2000):143. |
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