缀饰激子在半导体微腔中的辐射

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	缀饰激子在半导体微腔中的辐射
	刘世安; 林世鸣; 康学军; 张光斌; 程澎; 王启明
	2000
Source Publication	光电子·激光
Volume	11 Issue:3 Pages:221
Abstract	建立了半导体微腔的缀饰激子模型。在VCSEL器件量子阱中的激子首先通过内电磁场与腔耦合,形成缀饰态。而后作为多粒子过程,缀饰激子与腔内真空场耦合产生辐射。通过QED方法,得到偶极子辐射密度方程和系统能量衰变方程。
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	光电子学
Funding Organization	国家自然科学基金,国家863计划,国家863计划
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:599716
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18493
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	刘世安,林世鸣,康学军,等. 缀饰激子在半导体微腔中的辐射[J]. 光电子·激光,2000,11(3):221.
APA	刘世安,林世鸣,康学军,张光斌,程澎,&王启明.(2000).缀饰激子在半导体微腔中的辐射.光电子·激光,11(3),221.
MLA	刘世安,et al."缀饰激子在半导体微腔中的辐射".光电子·激光 11.3(2000):221.

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