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缀饰激子在半导体微腔中的辐射 | |
刘世安; 林世鸣; 康学军; 张光斌; 程澎; 王启明 | |
2000 | |
Source Publication | 光电子·激光
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Volume | 11Issue:3Pages:221 |
Abstract | 建立了半导体微腔的缀饰激子模型。在VCSEL器件量子阱中的激子首先通过内电磁场与腔耦合,形成缀饰态。而后作为多粒子过程,缀饰激子与腔内真空场耦合产生辐射。通过QED方法,得到偶极子辐射密度方程和系统能量衰变方程。 |
metadata_83 | 中科院半导体所 |
Subject Area | 光电子学 |
Funding Organization | 国家自然科学基金,国家863计划,国家863计划 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:599716 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18493 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 刘世安,林世鸣,康学军,等. 缀饰激子在半导体微腔中的辐射[J]. 光电子·激光,2000,11(3):221. |
APA | 刘世安,林世鸣,康学军,张光斌,程澎,&王启明.(2000).缀饰激子在半导体微腔中的辐射.光电子·激光,11(3),221. |
MLA | 刘世安,et al."缀饰激子在半导体微腔中的辐射".光电子·激光 11.3(2000):221. |
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