由浅离子注入实现的MQW混合

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	由浅离子注入实现的MQW混合
	朱洪亮; 韩德俊
	2000
Source Publication	光电子·激光
Volume	11 Issue:3 Pages:255
Abstract	用浅P~+离子注入InGaAs/InGaAsP应变多量子阱(MQW)激光器结构,经H_2/N_2混合气氛下的快速退火,体内MQW层发生组份混合,导致器件的带隙波长蓝移,结构的光荧光(PL)峰值波长向短波方向移动了76 nm。
metadata_83	中科院半导体所;北京师范大学低能核物理所
Subject Area	半导体材料
Funding Organization	国家863计划
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:599726
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18491
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	朱洪亮,韩德俊. 由浅离子注入实现的MQW混合[J]. 光电子·激光,2000,11(3):255.
APA	朱洪亮,&韩德俊.(2000).由浅离子注入实现的MQW混合.光电子·激光,11(3),255.
MLA	朱洪亮,et al."由浅离子注入实现的MQW混合".光电子·激光 11.3(2000):255.

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