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| In_(0.4)Ga_(0.6)As/GaAs自组织量子点的光伏谱温度特性 | |
| 吴正云; 陈主荣; 黄启圣; 姜卫红; 卢励吾; 王占国 | |
| 2000 | |
| Source Publication | 光电子·激光
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| Volume | 11Issue:4Pages:366 |
| Abstract | 采用无需在样品上制备电极的电容耦合的光伏谱方法,实验测量了In_(0.4)Ga_(0.6)As/GaAs自组织量子点在不同的温度下的光伏谱,对测量谱峰进行了指认,研究了量子点谱峰能量位置随温度的依赖关系。实验结果表明,量子点具有与体材料及二维体系不同的温度特性,对实验所测样品,其激子峰能量随温度增加而红移的速率约为GaAs体材料带隙变化的1.4倍。 |
| metadata_83 | 厦门大学物理系;中科院半导体所 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Funding Organization | 福建省自然科学基金 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:599759 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18487 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 吴正云,陈主荣,黄启圣,等. In_(0.4)Ga_(0.6)As/GaAs自组织量子点的光伏谱温度特性[J]. 光电子·激光,2000,11(4):366. |
| APA | 吴正云,陈主荣,黄启圣,姜卫红,卢励吾,&王占国.(2000).In_(0.4)Ga_(0.6)As/GaAs自组织量子点的光伏谱温度特性.光电子·激光,11(4),366. |
| MLA | 吴正云,et al."In_(0.4)Ga_(0.6)As/GaAs自组织量子点的光伏谱温度特性".光电子·激光 11.4(2000):366. |
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