InGaAs/GaAs多量子阱SEED设计和特性研究

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	InGaAs/GaAs多量子阱SEED设计和特性研究
	邓晖; 陈弘达; 梁琨; 杜云; 唐君; 黄永箴; 潘钟; 马骁宇; 吴荣汉; 王启明
	2001
Source Publication	光电子·激光
Volume	12 Issue:3 Pages:222
Abstract	分析计算了InGaAs/GaAs多量子阱(SEED)的激子吸收行为,对器件的多量子阱及谐振腔结构进行了设计和理论分析, 用MOCVD系统生长了多量子阱外延材料,并且对器件的反射谱和光电流谱特性进行了测试。
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	光电子学
Funding Organization	国家自然科学基金
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:599906
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18483
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	邓晖,陈弘达,梁琨,等. InGaAs/GaAs多量子阱SEED设计和特性研究[J]. 光电子·激光,2001,12(3):222.
APA	邓晖.,陈弘达.,梁琨.,杜云.,唐君.,...&王启明.(2001).InGaAs/GaAs多量子阱SEED设计和特性研究.光电子·激光,12(3),222.
MLA	邓晖,et al."InGaAs/GaAs多量子阱SEED设计和特性研究".光电子·激光 12.3(2001):222.

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