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InGaAs/GaAs多量子阱SEED设计和特性研究 | |
邓晖; 陈弘达; 梁琨; 杜云; 唐君; 黄永箴; 潘钟; 马骁宇; 吴荣汉; 王启明 | |
2001 | |
Source Publication | 光电子·激光
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Volume | 12Issue:3Pages:222 |
Abstract | 分析计算了InGaAs/GaAs多量子阱(SEED)的激子吸收行为,对器件的多量子阱及谐振腔结构进行了设计和理论分析, 用MOCVD系统生长了多量子阱外延材料,并且对器件的反射谱和光电流谱特性进行了测试。 |
metadata_83 | 中科院半导体所 |
Subject Area | 光电子学 |
Funding Organization | 国家自然科学基金 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:599906 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18483 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 邓晖,陈弘达,梁琨,等. InGaAs/GaAs多量子阱SEED设计和特性研究[J]. 光电子·激光,2001,12(3):222. |
APA | 邓晖.,陈弘达.,梁琨.,杜云.,唐君.,...&王启明.(2001).InGaAs/GaAs多量子阱SEED设计和特性研究.光电子·激光,12(3),222. |
MLA | 邓晖,et al."InGaAs/GaAs多量子阱SEED设计和特性研究".光电子·激光 12.3(2001):222. |
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