高迁移率AlGaN-GaN二维电子气

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	高迁移率AlGaN-GaN二维电子气
	刘祥林; 王成新; 韩培德
	2000
Source Publication	高技术通讯
Volume	10 Issue:6 Pages:13
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体材料
Funding Organization	国家863计划,国家自然科学基金
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:604733
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18467
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	刘祥林,王成新,韩培德. 高迁移率AlGaN-GaN二维电子气[J]. 高技术通讯,2000,10(6):13.
APA	刘祥林,王成新,&韩培德.(2000).高迁移率AlGaN-GaN二维电子气.高技术通讯,10(6),13.
MLA	刘祥林,et al."高迁移率AlGaN-GaN二维电子气".高技术通讯 10.6(2000):13.

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